ZHCADD2 November 2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210
與 MOSFET 相比，GaN FET 在開關特性方面具有許多優(yōu)勢。但是，GaN FET 也面臨一些獨特的挑戰(zhàn)，必須解決這些挑戰(zhàn)才能實現(xiàn)卓越性能。其中一個挑戰(zhàn)是半橋拓撲中的自舉過充。
電路設計人員使用多種方法來解決自舉過充問題。本文檔比較了這些自舉過充預防方法，包括集成在半橋 GaN 驅動器（例如 LMG1205、LM5113-Q1 和 LMG1210）中的方法。