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LMG1205

正在供貨

適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半橋柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.035 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.09 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
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DSBGA (YFX) 12 3.24 mm2 1.8 x 1.8
  • 獨立的高邊和低邊 TTL 邏輯輸入
  • 1.2A 峰值拉電流，5A 灌電流
  • 高邊浮動偏置電壓軌 工作電壓高達(dá) 100VDC
  • 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的 導(dǎo)通/關(guān)斷強度
  • 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻
  • 快速傳播時間（典型值為 35ns）
  • 出色的傳播延遲匹配 （典型值為 1.5ns）
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
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  • 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻
  • 快速傳播時間（典型值為 35ns）
  • 出色的傳播延遲匹配 （典型值為 1.5ns）
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗

LMG1205 設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高邊和低邊增強模式氮化鎵 (GaN) FET。此器件具有一個集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高邊和低邊輸出分別提供了獨立的輸入，可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。高邊偏置電壓采用自舉技術(shù)生成，內(nèi)部鉗位為 5V，可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LMG1205 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，都能夠承受高達(dá) 14V 的輸入電壓。LMG1205 具有分離柵輸出，可獨立靈活地調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷強度。

此外，LMG1205 具有強勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LMG1205 的工作頻率可高達(dá)數(shù) MHz。LMG1205 采用 12 引腳 DSBGA 封裝，具有緊湊的外形尺寸和超小的封裝電感。

LMG1205 設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高邊和低邊增強模式氮化鎵 (GaN) FET。此器件具有一個集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高邊和低邊輸出分別提供了獨立的輸入，可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。高邊偏置電壓采用自舉技術(shù)生成，內(nèi)部鉗位為 5V，可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LMG1205 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，都能夠承受高達(dá) 14V 的輸入電壓。LMG1205 具有分離柵輸出，可獨立靈活地調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷強度。

此外，LMG1205 具有強勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LMG1205 的工作頻率可高達(dá)數(shù) MHz。LMG1205 采用 12 引腳 DSBGA 封裝，具有緊湊的外形尺寸和超小的封裝電感。
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EVM 用戶指南 Using the LMG1205HBEVM 2017年 3月 22日

設(shè)計和開發(fā)

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評估板

LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN 功率級評估模塊

80V 10A 功率級 EVM - LMG1205 半橋 EVM 板是一款小型易用的功率級，帶有外部 PWM 信號。此 EVM 適用于評估眾多不同直流/直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動 GaN 半橋的 LMG1205 的性能。它可用于估算半橋的性能以測量效率。該模塊能夠提供 10A 的最大電流。然而，應(yīng)進(jìn)行充分的熱管理（強制風(fēng)冷、低頻運行等），以確保不超過板載元件的最大工作溫度規(guī)范。由于該 EVM 為開環(huán)板，因此不適用于瞬態(tài)測量。

用戶指南: PDF
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仿真模型

LMG1205 PSpice Transient Model (Rev. A)

SNOM624A.ZIP (35 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

LMG1205 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SNOM622A.TSC (131 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

LMG1205 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM621A.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
計算工具

SNOR034 — LMG1205 Component Design Calculator and Schematic Review

支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
半橋驅(qū)動器
LMG1205 — 適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半橋柵極驅(qū)動器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

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訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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