2 自舉過充

死區(qū)時間期間產(chǎn)生的負(fù)電壓會帶來一些后果。首先，負(fù)電壓會造成損耗，因?yàn)榈蛡?cè) FET 必須耗散 VSD 乘以 IL。其次，負(fù)電壓會導(dǎo)致自舉電路上出現(xiàn)過充，該電路通常用于為高側(cè) FET 提供偏置。通常，當(dāng)?shù)蛡?cè) FET 導(dǎo)通且 HS 節(jié)點(diǎn)接近 0V 電流 (Iboot) 時，自舉電容器 (Cboot) 充電，然后電流從 VDD 流過自舉二極管，將 Cboot 電容器充電至 VDD。有關(guān)自舉電路的進(jìn)一步說明，請參閱針對半橋配置的自舉電路選擇。

在死區(qū)時間內(nèi)，Cboot 上的電勢可能會增加到 VDD 加上負(fù)電壓，在許多情況下很容易超過 6V 至 7V。這意味著自舉電容器過充至高于 VDD 的電壓。這種類型的過充可用于所有半橋配置，而不僅僅是使用 GaN FET 的配置。然而，GaN FET 的敏感柵極往往只能處理最高 6V 至 8V 的電壓，具體取決于結(jié)構(gòu)。因?yàn)?GaN 半橋具有更高的負(fù) HS 電壓并且對過充的敏感性更高，因此自舉過充預(yù)防至關(guān)重要。LM5113-Q1、LMG1205 和 LMG1210 等一些半橋柵極驅(qū)動器具有集成式自舉過充預(yù)防電路。