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LM5113-Q1

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適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
WSON (DPR) 10 16 mm2 4 x 4
  • 符合汽車應(yīng)用 標(biāo)準(zhǔn)
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度 1 級：–40°C 至 125°C 的環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 1C
    • 器件帶電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6
  • 獨立的高側(cè)和低側(cè)TTL 邏輯輸入
  • 1.2A 峰值拉電流能力，5A 峰值灌電流能力
  • 高側(cè)浮動偏置電壓軌
    工作電壓高達 100VDC
  • 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的
    開通和關(guān)斷應(yīng)力
  • 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻
  • 快速傳播時間（典型值為 28ns）
  • 優(yōu)異的傳播延遲
    （典型值為 1.5ns)
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 符合汽車應(yīng)用 標(biāo)準(zhǔn)
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度 1 級：–40°C 至 125°C 的環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 1C
    • 器件帶電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6
  • 獨立的高側(cè)和低側(cè)TTL 邏輯輸入
  • 1.2A 峰值拉電流能力，5A 峰值灌電流能力
  • 高側(cè)浮動偏置電壓軌
    工作電壓高達 100VDC
  • 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實現(xiàn)可調(diào)的
    開通和關(guān)斷應(yīng)力
  • 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻
  • 快速傳播時間（典型值為 28ns）
  • 優(yōu)異的傳播延遲
    （典型值為 1.5ns)
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗

LM5113-Q1 專為同時驅(qū)動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質(zhì) MOSFET 而設(shè)計，適用于汽車 應(yīng)用。此器件具有一個集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨立的輸入，可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。高側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為 5.2V，可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓多高，它都能夠承受高達 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力，可獨立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強度。

此外，LM5113-Q1 具有非?？煽康墓嚯娏髂芰?，使柵極保持低電平，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。LM5113-Q1 的工作頻率最高可達數(shù) MHz。LM5113-Q1 采用帶有裸露焊盤的標(biāo)準(zhǔn) 10 引腳 WSON 封裝，可改善功耗。

LM5113-Q1 專為同時驅(qū)動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質(zhì) MOSFET 而設(shè)計，適用于汽車 應(yīng)用。此器件具有一個集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨立的輸入，可實現(xiàn)最大程度的靈活控制。高側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為 5.2V，可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓多高，它都能夠承受高達 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力，可獨立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強度。

此外，LM5113-Q1 具有非?？煽康墓嚯娏髂芰Γ箹艠O保持低電平，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。LM5113-Q1 的工作頻率最高可達數(shù) MHz。LM5113-Q1 采用帶有裸露焊盤的標(biāo)準(zhǔn) 10 引腳 WSON 封裝，可改善功耗。

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下載
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LM5113 Unencrypted Spice Transient Model (Rev. B)

SNVJ002B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
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SNVR523 — LM5113(-Q1) Component Design Calculator and Schematic Review

支持的產(chǎn)品和硬件

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半橋驅(qū)動器
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