主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 半橋驅(qū)動(dòng)器

LMG1210

正在供貨

適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 300 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 6 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.01 Rise time (ns) 0.5 Fall time (ns) 0.5 Iq (mA) 0.3 Input threshold TTL Channel input logic TTL/PWM Features Bootstrap supply voltage clamp, Dead time control, Internal LDO, Resistor-controllable deadtime Driver configuration Half bridge
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WQFN (RVR) 19 12 mm2 4 x 3
  • 工作頻率高達(dá) 50MHz
  • 10ns 典型傳播延遲
  • 3.4ns 高側(cè)至低側(cè)匹配
  • 4ns 最小脈寬
  • 兩個(gè)控制輸入選項(xiàng)
    • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
    • 獨(dú)立輸入模式
  • 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流
  • 外部自舉二極管可實(shí)現(xiàn)靈活性
  • 內(nèi)部 LDO 可實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓軌的適應(yīng)能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的電容小于 1pF
  • UVLO 和過(guò)熱保護(hù)
  • 低電感 WQFN 封裝
  • 工作頻率高達(dá) 50MHz
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  • 兩個(gè)控制輸入選項(xiàng)
    • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
    • 獨(dú)立輸入模式
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  • 內(nèi)部 LDO 可實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓軌的適應(yīng)能力
  • 高 300V/ns CMTI
  • HO 到 LO 的電容小于 1pF
  • UVLO 和過(guò)熱保護(hù)
  • 低電感 WQFN 封裝

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開(kāi)發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還 具備 一個(gè)內(nèi)部 LDO，可確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)器電壓（而與電源電壓無(wú)關(guān)）。

為了在各種應(yīng)用中獲得 最佳性能，LMG1210 允許設(shè)計(jì)人員選擇最佳的自舉二極管對(duì)高側(cè)自舉電容器充電。當(dāng)?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時(shí)，內(nèi)部開(kāi)關(guān)會(huì)關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過(guò)度充電，并將反向恢復(fù)電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF，以減少額外的開(kāi)關(guān)損耗。

該 LMG1210 具有 兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在 PWM 模式下，兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號(hào)由單個(gè)輸入產(chǎn)生，用戶可將每個(gè)沿的死區(qū)時(shí)間從 0ns 調(diào)節(jié)為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，并采用低電感 WQFN 封裝。

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動(dòng)器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開(kāi)發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還 具備 一個(gè)內(nèi)部 LDO，可確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)器電壓（而與電源電壓無(wú)關(guān)）。

為了在各種應(yīng)用中獲得 最佳性能，LMG1210 允許設(shè)計(jì)人員選擇最佳的自舉二極管對(duì)高側(cè)自舉電容器充電。當(dāng)?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時(shí)，內(nèi)部開(kāi)關(guān)會(huì)關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過(guò)度充電，并將反向恢復(fù)電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF，以減少額外的開(kāi)關(guān)損耗。

該 LMG1210 具有 兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入獨(dú)立控制。在 PWM 模式下，兩個(gè)補(bǔ)償輸出信號(hào)由單個(gè)輸入產(chǎn)生，用戶可將每個(gè)沿的死區(qū)時(shí)間從 0ns 調(diào)節(jié)為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，并采用低電感 WQFN 封裝。
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設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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SNOM617C.TSC (610 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

LMG1210 Unencrypted PSPICE Transient Model

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下載
CAD/CAE 符號(hào)

LMG1210 Altium Deisgn Files

SNOR026.ZIP (3265 KB)
下載
計(jì)算工具

SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review

支持的產(chǎn)品和硬件

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產(chǎn)品
半橋驅(qū)動(dòng)器
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  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
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  • 制造廠地點(diǎn)
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