ZHCADD2 November 2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210
縮短死區(qū)持續(xù)時間可以減少 Qin。在不改變 Qout 的情況下，較低的 Qin 會導(dǎo)致 Cboot 上的穩(wěn)態(tài)電壓較低。縮短死區(qū)時間通常有利于減少過充和死區(qū)時間損耗。然而，縮短死區(qū)時間會增加擊穿的風(fēng)險，并且負(fù)載和溫度條件需要裕度。此外，許多控制器不具備對時序進(jìn)行可靠的 1ns 調(diào)整的精度。
鑒于此，精確的死區(qū)時間控制對于 GaN 半橋驅(qū)動器中的自舉過充預(yù)防至關(guān)重要。除了前面討論的內(nèi)置自舉過充預(yù)防電路之外，LMG1210 還具有納秒級和可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間控制功能。如需更多信息，請參閱通過 LMG1210 GaN 驅(qū)動器的死區(qū)時間控制優(yōu)化效率 應(yīng)用手冊。