ZHCADD2 November 2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210
負(fù)柵極電壓在許多大功率系統(tǒng)中很常見，可提高 FET 對誤導(dǎo)通的抗擾度。負(fù)柵極電壓會在關(guān)斷狀態(tài)電壓和 FET 的閾值電壓之間產(chǎn)生更大的裕度。該電壓裕度使 FET 能夠在不引起擊穿的情況下耐受更多的米勒電流注入。負(fù)柵極電壓普遍用于 IGBT 和 SiC FET；許多 SiCFET 數(shù)據(jù)表都將負(fù)柵極偏置列為一項要求。
GaN FET 不需要負(fù)柵極偏置，但使用負(fù)柵極偏置具有與 SiCFET 相同的優(yōu)勢。負(fù)柵極電壓的缺點是，它會在死區(qū)時間內(nèi)增加負(fù)電壓，從而增加過度充電和損耗。使用米勒鉗位等方法而非負(fù)偏置，可以提高米勒抗擾度，而不會出現(xiàn)過度充電問題。