ZHCSY76A May 2025 – September 2025 UCC25661-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
-
8 應(yīng)用和實施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計過程
- 8.2.2.1 LLC 功率級要求
- 8.2.2.2 LLC 增益范圍
- 8.2.2.3 ?選擇 Ln 和 Qe
- 8.2.2.4 確定等效負(fù)載電阻
- 8.2.2.5 確定 LLC 諧振電路的元件參數(shù)
- 8.2.2.6 LLC 初級側(cè)電流
- 8.2.2.7 LLC 次級側(cè)電流
- 8.2.2.8 LLC 變壓器
- 8.2.2.9 LLC 諧振電感器
- 8.2.2.10 LLC 諧振電容器
- 8.2.2.11 LLC 初級側(cè) MOSFET
- 8.2.2.12 自適應(yīng)死區(qū)時間的設(shè)計注意事項
- 8.2.2.13 LLC 整流器二極管
- 8.2.2.14 LLC 輸出電容器
- 8.2.2.15 HV 引腳串聯(lián)電阻器
- 8.2.2.16 BLK 引腳分壓器
- 8.2.2.17 ISNS 引腳微分器
- 8.2.2.18 TSET 引腳
- 8.2.2.19 OVP/OTP 引腳
- 8.2.2.20 突發(fā)模式編程
- 8.2.2.21 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDB|14
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.1 輸入功率比例控制
上一代 TI LLC 控制器使用一種稱為遲滯混合控制 (HHC) 的充電控制版本。在 UCC25661x-Q1 系列 LLC 控制器中，使用了一種名為輸入功率比例控制 (IPPC) 的 HHC 改進(jìn)版本。傳統(tǒng)直接頻率控制的控制信號與開關(guān)頻率成正比，與之相比，傳統(tǒng)的充電控制方法在簡化補償器設(shè)計的同時可提供更快的瞬態(tài)響應(yīng)，這是因為功率級傳遞函數(shù)變成了一階系統(tǒng)。在傳統(tǒng)充電控制中，輸入電流和開關(guān)頻率共同決定控制信號。IPPC 顯著降低控制信號對開關(guān)頻率的依賴，從而更大限度減小輸入和輸出電壓變化的影響。
IPPC 可以帶來以下優(yōu)勢：
- 控制信號與輸入功率成比例
- 在寬 LLC (WLLC) 運行應(yīng)用中實現(xiàn)一致的突發(fā)模式和過載性能
- 保持更快的負(fù)載瞬態(tài)性能并提高線路瞬態(tài)性能
在 ISNS 引腳上，UCC25661x-Q1 系列 通過由電容器 CISNS 和電阻器 RISNS 形成的外部微分器來測量諧振回路電流。ISNS 引腳上的電壓在 VCR 合成器塊中積分，形成內(nèi)部 VCR 信號 VCR_synth。
VCR 合成器塊根據(jù) BLK 引腳電壓應(yīng)用前饋增益，并應(yīng)用斜坡補償，從而生成補償后的內(nèi)部 VCR 信號。
然后，補償后的內(nèi)部 VCR 信號與兩組閾值進(jìn)行比較，從而控制高側(cè)開關(guān)關(guān)斷 (VTH) 和低側(cè)開關(guān)關(guān)斷 (VTL)。閾值 VTH 和 VTL 由內(nèi)部控制信號 FBReplica，以及前半個開關(guān)周期中的高側(cè)和低側(cè)開關(guān)導(dǎo)通時間來生成。在軟啟動期間，會根據(jù)內(nèi)部軟啟動斜坡生成 VTH 和 VTL 閾值，以盡可能地減小啟動期間的諧振回路浪涌電流。
在 圖 7-2 中，系統(tǒng)根據(jù)內(nèi)部 VCR 信號以及比較器閾值 VTH 和 VTL 來控制高側(cè)和低側(cè)開關(guān)。當(dāng) VCR 高于 VTH 時，高側(cè)開關(guān)關(guān)斷。當(dāng) VCR 低于 VTL 時，低側(cè)開關(guān)關(guān)斷。
圖 7-2 IPPC 基本波形FBReplica 是反饋引腳 (FB) 電流的內(nèi)部電壓表示。節(jié) 7.3.3 定義了反饋鏈。使用下面的公式，計算比較器閾值 VTH 和 VTL。