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ZHCSY76A May 2025 – September 2025 UCC25661-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDB|14
- MPDC008

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

8.2.2.18 TSET 引腳

TSET 引腳電阻用于設置 VCR 積分器時間常數(shù)。VCR 積分器時間常數(shù)包括

計時器增益
- k_s
- R_VCR
- R_RAMP
- C_VCR
IPPC 模式下的最小開關頻率

TSET 引腳電阻器還決定了在特定輸出功率下的 V_FBreplica 電壓。

根據(jù) f_SW(Mgmin) 和在最小輸入電壓和最大輸出功率下的滿負載工作頻率，選擇 V_TSETB 電壓。對于本設計，由于在 365V 的最小輸入電壓和額定輸出功率下觀察到的滿載工作頻率為 89kHz，因此在設計計算中選擇選項 4。對于選項 4，需確保 V_TSETB 電壓介于 0.742V ± 48mV 之間，如 TSET 編程選項表所示。

選擇 (V_TSETA-V_TSETB) 電壓，以設置選擇輸出功率下的 FBReplica 幅度。選擇 (V_TSETA-V_TSETB) 的電壓差值，以確保在額定功率下，F(xiàn)BReplica 的幅值低于 V_FBOLP，如圖 8-3 所示，且在最壞情況下需留有規(guī)定的裕度。對于 UCC25661EVM-128，為該差動 TSET 電壓選擇選項 5，使得結合 VCR 積分器時間常數(shù)和所選 ISNS、BLK 電阻器，在最大輸入功率下 FBReplica 幅度接近 4V。因此對于選項 5，需確保 (V_TSETA-V_TSETB) 電壓介于 0.850V ± 48mV 之間，如 TSET 編程選項表所示。

方程式 62.

V_{TSETB} = \frac{R_{TSET_lower} \times V 5 P}{R_{TSET_lower} + R_{TSET_upper}}

方程式 63.

V_{TSETA} = V_{TSETB} + \frac{R_{TSET_lower} \times R_{TSET_upper}}{R_{TSET_lower} + R_{TSET_upper}} \times I_{TSETPrgm}

方程式 62 的輸出結果為 R_{TSET_UPPER} 等于 572.78kΩ。方程式 63 的輸出結果為 R_{TSET_LOWER} 等于 99.81kΩ。

最后，選擇 R_{TSET_upper} = 576kΩ 和 R_{TSET_lower} 100kΩ。

使用方程式 64 和方程式 65 計算 V_TSETB 和 (V_TSETA -V_TSETB)。

方程式 64.

V_{TSETB} = \frac{100 k \times 5 V}{100 k + 576 k} = 0.74 V

方程式 65.

{(V}_{TSETA} - V_{TSETB}) = \frac{100 k \times 576 k}{100 k + 576 k} \times 10 μA = 0.852 V

圖 8-3 展示了相對于 LLC 輸入功率的 FBReplica 電壓。

為了計算 P_in，以下表達式中考慮使用 92% 效率：

方程式 66.

P_{in} = \frac{P_{out}}{η}

圖 8-3 FBReplica 與 P_in 間的關系

在反饋光耦合器發(fā)射極和接地之間插入一個 10k? 電阻器可以測得 FBReplica 電壓。假設在 10k? 電阻器上測得的電壓是 V_10k。使用以下公式計算 FBReplica 電壓：

方程式 67.

FBReplica = (I_{FB} ? \frac{V_{10 kΩ}}{10 kΩ}) \times R_{FBInternal}