ZHCSY76A May 2025 – September 2025 UCC25661-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 8.2.2.1 LLC 功率級(jí)要求
- 8.2.2.2 LLC 增益范圍
- 8.2.2.3 ?選擇 Ln 和 Qe
- 8.2.2.4 確定等效負(fù)載電阻
- 8.2.2.5 確定 LLC 諧振電路的元件參數(shù)
- 8.2.2.6 LLC 初級(jí)側(cè)電流
- 8.2.2.7 LLC 次級(jí)側(cè)電流
- 8.2.2.8 LLC 變壓器
- 8.2.2.9 LLC 諧振電感器
- 8.2.2.10 LLC 諧振電容器
- 8.2.2.11 LLC 初級(jí)側(cè) MOSFET
- 8.2.2.12 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- 8.2.2.13 LLC 整流器二極管
- 8.2.2.14 LLC 輸出電容器
- 8.2.2.15 HV 引腳串聯(lián)電阻器
- 8.2.2.16 BLK 引腳分壓器
- 8.2.2.17 ISNS 引腳微分器
- 8.2.2.18 TSET 引腳
- 8.2.2.19 OVP/OTP 引腳
- 8.2.2.20 突發(fā)模式編程
- 8.2.2.21 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDB|14
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.2.2.12 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在設(shè)計(jì)完諧振回路并選擇初級(jí)側(cè) MOSFET 后，檢查轉(zhuǎn)換器的 ZVS 工作狀態(tài)。當(dāng)柵極關(guān)斷沿的諧振電感器中剩余足夠的電流給開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容放電時(shí)，能實(shí)現(xiàn) ZVS。當(dāng)電感能量大于有效電容能量時(shí)，也可實(shí)現(xiàn) ZVS，其中有效電容為功率級(jí)中兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的 Coss。UCC256614-Q1 基于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間。轉(zhuǎn)換檢測(cè)電路的檢測(cè)范圍為 0.1V/ns 至 200V/ns。
為了檢查 ZVS 操作，控制器進(jìn)行了一系列時(shí)域模擬，并捕獲了柵極關(guān)斷邊緣的諧振電流。下方顯示了示例圖：
圖 8-2 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間圖 8-2 假設(shè)在 5% 負(fù)載時(shí)出現(xiàn)最大開(kāi)關(guān)頻率，且系統(tǒng)在 5% 負(fù)載時(shí)開(kāi)始突發(fā)。
從 圖 8-2 中可以看出，在感興趣運(yùn)行范圍內(nèi)，回路中剩余的最小諧振電流為 Imin = 0.8A。需要使用初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的寄生電容來(lái)計(jì)算壓擺率。根據(jù) MOSFET 數(shù)據(jù)表中給出的 Coss 值估算壓擺率。在本例中，Cswitchnode = 400pF，因?yàn)槊總€(gè) MOSFET 的 Coss 為 200pF。最小壓擺率由以下公式計(jì)算得出：
最小壓擺率大于 0.1V/ns 的最小可檢測(cè)壓擺率，這有助于實(shí)現(xiàn) ZVS 的維持。