ZHCSY76A May 2025 – September 2025 UCC25661-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
-
8 應(yīng)用和實施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計要求
- 8.2.2
詳細設(shè)計過程
- 8.2.2.1 LLC 功率級要求
- 8.2.2.2 LLC 增益范圍
- 8.2.2.3 ?選擇 Ln 和 Qe
- 8.2.2.4 確定等效負載電阻
- 8.2.2.5 確定 LLC 諧振電路的元件參數(shù)
- 8.2.2.6 LLC 初級側(cè)電流
- 8.2.2.7 LLC 次級側(cè)電流
- 8.2.2.8 LLC 變壓器
- 8.2.2.9 LLC 諧振電感器
- 8.2.2.10 LLC 諧振電容器
- 8.2.2.11 LLC 初級側(cè) MOSFET
- 8.2.2.12 自適應(yīng)死區(qū)時間的設(shè)計注意事項
- 8.2.2.13 LLC 整流器二極管
- 8.2.2.14 LLC 輸出電容器
- 8.2.2.15 HV 引腳串聯(lián)電阻器
- 8.2.2.16 BLK 引腳分壓器
- 8.2.2.17 ISNS 引腳微分器
- 8.2.2.18 TSET 引腳
- 8.2.2.19 OVP/OTP 引腳
- 8.2.2.20 突發(fā)模式編程
- 8.2.2.21 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDB|14
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.4.1 零電流開關(guān) (ZCS) 保護
ZCS 保護的目標是確認 MOSFET 可以在電流反轉(zhuǎn)之前關(guān)斷，從而消除 MOSFET 體二極管硬反向恢復(fù)的可能性，提高功率級的可靠性。最小關(guān)斷電流應(yīng)設(shè)置為一定的閾值，這樣可以增加在該情況下實現(xiàn) ZVS 開關(guān)或近 ZVS 開關(guān)的機會。
結(jié)合會同時關(guān)注壓擺完成信號和 IPOL 信號的死區(qū)時間引擎，確認對向 MOSFET 在 VDS 電壓的谷點導(dǎo)通，盡可能降低導(dǎo)通損耗。
圖 7-9 ZCS 保護當運行接近電感和電容邊界時，諧振電流會在柵極關(guān)斷之前減小。如果 ISNS 波形小于 VISNS_ZCS 閾值，則柵極脈沖 HO 會提前終止，而不是等待 VCR 波形越過 VTH 邊界。提前柵極終止方案能夠在柵極關(guān)斷沿產(chǎn)生足夠的諧振電流，以便在死區(qū)時間內(nèi)驅(qū)動 ZVS 轉(zhuǎn)換。類似的說明同樣適用于 LO 柵極脈沖。
圖 7-10 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通時的 ZCS 預(yù)防方案諧振電流的形狀低于諧振頻率，會對檢測諧振電流波形的正確下降沿造成挑戰(zhàn)。UCC25661x-Q1 實現(xiàn)有額外的邏輯，用于確保檢測 ISNS 信號的正確下降沿，從而避免誤跳。
為了提高抗噪聲穩(wěn)健性，ISNS ZCS 比較器會在 HO 或 LO 柵極的上升沿被消隱。VCR 比較器和 ISNS ZCS 比較器使用相同的消隱時間 tleb。
檢測到 ZCS 事件時，內(nèi)部軟啟動斜坡電壓會緩慢降低。當內(nèi)部軟啟動斜降時，開關(guān)頻率會被強制增加，從而強制轉(zhuǎn)換器退出容性區(qū)域。
如果在 TZCSFault 期間出現(xiàn)持續(xù) ZCS 情況，則 UCC25661x-Q1 控制器會停止開關(guān)并進入故障狀態(tài)。