UCC2154x 輸出級(jí)采用上拉結(jié)構(gòu)，能夠在最需要的時(shí)候提供最高的峰值拉電流：在電源開(kāi)關(guān)導(dǎo)通轉(zhuǎn)換的米勒平坦區(qū)期間（此時(shí)電源開(kāi)關(guān)漏極或集電極電壓經(jīng)歷 dV/dt）。輸出級(jí)上拉結(jié)構(gòu)具備一個(gè) P 溝道 MOSFET 與一個(gè)額外的上拉 N 溝道 MOSFET（并聯(lián)）。N 溝道 MOSFET 的功能是使峰值拉電流短暫提升，從而實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。這是通過(guò)在輸出狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，在短時(shí)間內(nèi)短暫導(dǎo)通 N 溝道 MOSFET 來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在 UCC21540 中，該 N 溝道 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (R_NMOS) 在激活時(shí)約為 1.47Ω，而在 UCC21541 中，R_NMOS 約為 3.2Ω。

R_OH 參數(shù)是直流測(cè)量值，僅代表 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻。這是因?yàn)?em class="ph i">上拉 N 溝道器件在直流條件下保持在關(guān)斷狀態(tài)，并且僅在輸出狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)短暫導(dǎo)通。因此，在該短暫導(dǎo)通階段，UCC2154x 上拉級(jí)的有效電阻遠(yuǎn)低于 R_OH 參數(shù)所表示的值。

UCC2154x 的下拉結(jié)構(gòu)包含一個(gè) N 溝道 MOSFET。R_OL 參數(shù)也是一項(xiàng)直流測(cè)量值，其表示器件中下拉狀態(tài)下的阻抗。在軌至軌運(yùn)行期間，輸出電壓在 VDD 和 VSS 之間波動(dòng)。

為了確保柵極驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)健可靠地運(yùn)行，請(qǐng)?zhí)貏e注意最小脈沖寬度。電氣特性表中顯示的最小脈沖寬度描述了在空載驅(qū)動(dòng)器中傳遞到輸出的最小輸入脈沖。這是由驅(qū)動(dòng)器 IC 中存在的抗尖峰脈沖濾波器決定的。需要比最大規(guī)格更長(zhǎng)的輸入開(kāi)啟或關(guān)閉脈沖寬度，才能保證輸出狀態(tài)改變并避免潛在的擊穿。對(duì)于施加了負(fù)載的驅(qū)動(dòng)器，必須采取額外的預(yù)防措施以確保系統(tǒng)穩(wěn)健運(yùn)行。在柵極開(kāi)關(guān)期間，如果輸出狀態(tài)在驅(qū)動(dòng)器完成每次轉(zhuǎn)換之前發(fā)生變化，則會(huì)發(fā)生非零電流開(kāi)關(guān)事件。與布局寄生效應(yīng)相結(jié)合，非零電流開(kāi)關(guān)可能會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部電源軌過(guò)沖和柵極驅(qū)動(dòng)器的 EOS 損壞。因此，需要最小輸出寬度來(lái)確保系統(tǒng)可靠運(yùn)行。該最小輸出脈沖寬度取決于多個(gè)因素：柵極電容、VDD 電源電壓、柵極電阻和 PCB 布局寄生效應(yīng)。穩(wěn)健運(yùn)行的最小脈沖寬度可能大于電氣特性表中顯示的最小脈沖寬度。應(yīng)進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)研究，以確定每個(gè)系統(tǒng)所需的最小輸出脈沖寬度。

圖 8-2 輸出級(jí)