ZHCSIS7E September 2018 – November 2024 UCC21540 , UCC21540A , UCC21541 , UCC21542
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
UCC21540UCC2154x 的結(jié)溫可以通過(guò)以下公式進(jìn)行估算:

其中
使用結(jié)至頂特征參數(shù) (ΨJT) 代替結(jié)至外殼熱阻 (RΘJC) 可以極大地提高結(jié)溫估算的準(zhǔn)確性。大多數(shù) IC 的大部分熱能通過(guò)封裝引線(xiàn)釋放到 PCB 中,而總能量中僅有一小部分通過(guò)外殼頂部(通常在此處進(jìn)行熱電偶測(cè)量)進(jìn)行釋放。只有在大部分熱能通過(guò)外殼釋放時(shí)(例如采用金屬封裝或?qū)?IC 封裝應(yīng)用散熱器時(shí)),才能有效地使用 RΘJC 電阻。在所有其他情況下,使用 RΘJC 將無(wú)法準(zhǔn)確地估算真實(shí)的結(jié)溫。ΨJT 是通過(guò)假設(shè)通過(guò) IC 頂部的能量在測(cè)試環(huán)境和應(yīng)用環(huán)境中相似而通過(guò)實(shí)驗(yàn)得出的。只要遵循建議的布局指南,就可以準(zhǔn)確地進(jìn)行結(jié)溫估算,將誤差限制在幾攝氏度內(nèi)。更多信息,請(qǐng)參閱節(jié) 11.1和《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》應(yīng)用報(bào)告。