ZHCSIS7E September 2018 – November 2024 UCC21540 , UCC21540A , UCC21541 , UCC21542
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
-
9 應(yīng)用和實(shí)施
- 9.1 應(yīng)用信息
- 9.2
典型應(yīng)用
- 9.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 9.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 9.2.3 應(yīng)用曲線
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
- DW|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
訂購信息
9.2.2.3 選擇外部自舉二極管及其串聯(lián)電阻
每個(gè)周期，當(dāng)?shù)蛡?cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)，自舉電容器會(huì)由 VDD 通過外部自舉二極管進(jìn)行充電。為電容器充電涉及到高峰值電流，因此自舉二極管上的瞬態(tài)功率耗散可能會(huì)非常大。導(dǎo)通損耗還取決于二極管的正向壓降。柵極驅(qū)動(dòng)器電路中的總損耗包括二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗。
選擇外部自舉二極管時(shí)，TI 建議選擇高電壓、快速恢復(fù)二極管或者具有低正向壓降和低結(jié)電容的 SiC 肖特基二極管，以盡可能地減少反向恢復(fù)和相關(guān)接地噪聲反彈引入的損耗。本例中，直流鏈路電壓為 400 VDC。自舉二極管的電壓等級應(yīng)該大于直流鏈路電壓并保留充分的裕度。因此，本例中選擇了 600V 超快速二極管 MURA160T3G。
自舉電阻器 RBOOT 用于減少每個(gè)開關(guān)周期內(nèi) DBOOT 中的浪涌電流并限制 VDDA-VSSA 電壓的斜升壓擺率，尤其是 VSSA(SW) 引腳具有過大的負(fù)瞬態(tài)電壓時(shí)。RBOOT 的建議值在 1Ω 和 20Ω 之間，具體取決于所用的二極管。本例中選擇了一個(gè) 2.7Ω 限流電阻器來限制自舉二極管中的浪涌電流。在最壞的情況下，流經(jīng) DBoot 的峰值電流估計(jì)如下：
其中
- VBDF 是 4A 條件下自舉二極管上的預(yù)計(jì)正向壓降。
如不能將 VDDx-VSSx 的電壓限制在 FET 和 UCC2154x 的絕對最大額定值以下，在某些情況下可能對器件造成永久損壞。