ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP
PRODUCTION DATA
TPS7H3301-SP 3A 灌電流和拉電流 LDO 提供低輸出噪聲,可滿足系統(tǒng)需求。為了提高 LDO 的效率,TPS7H3301-SP LDO 可以由低 VLDOIN 電壓軌供電,因此使用雙電壓源:一個用于支持高電流的 VLDOIN,另一個是用于為 VDDQSNS 引腳提供電壓的備用電壓源。
在某些情況下,VLDOIN 和 VDDQSNS 引腳連接在一起。在存儲器系統(tǒng)中,VDDQ 是為內(nèi)核、I/O 和存儲器邏輯供電的高電流電源。VTTREF 是低電流、精密基準(zhǔn)電壓,提供了適應(yīng) I/O 電源電壓變化的邏輯高電平 (1) 和邏輯低電平 (0) 之間的閾值。VTTREF 能夠提供可適應(yīng)電源電壓的精密閾值,與具有固定閾值以及終端和驅(qū)動阻抗正常變化的器件相比,可實(shí)現(xiàn)更寬的噪聲裕度。不同的 DDR 技術(shù)的規(guī)格各不相同。例如,DDR3 JEDEC JESD79-3F 規(guī)定 VDDQ 的 0.49 至 0.51 倍,僅消耗數(shù)十至數(shù)百微安的電流。TPS7H3301-SP VTTREF 能夠灌入和拉取高達(dá) 10mA 的電流。