ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- HKR|16
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
TPS7H3301-SP 是一款具有內(nèi)置 VTTREF 緩沖器的 TID 和 SEE 耐輻射雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 3A 終端穩(wěn)壓器。該穩(wěn)壓器專門設(shè)計用于為單板計算機、固態(tài)記錄器和有效載荷處理等航天 DDR 端接應(yīng)用提供完整的緊湊型低噪聲解決方案。
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。憑借快速瞬態(tài)響應(yīng)，TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器可在讀取/寫入狀態(tài)下提供非常穩(wěn)定的電源。在瞬變期間，VTTREF 電源的快速跟蹤功能可以更大限度地減少 VTT/Vo 和 VTTREF 之間的任何失調(diào)電壓。為了實現(xiàn)簡單的電源時序，TPS7H3301-SP 中集成了使能輸入和電源正常輸出 (PGOOD)。PGOOD 輸出是開漏輸出，因此可在所有電源進(jìn)入穩(wěn)壓狀態(tài)時將其與多個開漏輸出相連來進(jìn)行監(jiān)控。使能信號還可用于在掛起至 RAM (S3) 斷電模式期間使 VTT/Vo 放電。
器件信息(1)
| 器件型號(3) | 等級 | 封裝 |
|---|---|---|
| 5962R1422801VXC(2) | 耐輻射等級 RHA 100krad(Si) | 16 引腳 CFP 9.60mm × 11.00mm 重量：1.55g(5) |
| 5962-1422801VXC(2) | 耐輻射等級 QMLV | |
| TPS7H3301HKR/EM | 工程模塊(4) | |
| TPS7H3301EVM-CVAL | 陶瓷評估板 | EVM |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
(2) 有關(guān)詳細(xì)信息，請參閱輻射報告。
(3) 適用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4對于 DDR，標(biāo)稱輸入電壓 = 3.3V。對于 DDR1，VIN 為 2.95 至 3.5V；對于所有 DDR，VLDOIN > VTT/VO。
對于 DDR2 3A 負(fù)載條件，VIN 為 2.45 至 3.5V。
VIN 余量：VIN_MIN ≥ VTT/VO + 1.5V。
對于 DDR2 3A 負(fù)載條件，VIN 為 2.45 至 3.5V。
VIN 余量：VIN_MIN ≥ VTT/VO + 1.5V。
(4) 這些器件僅適用于工程評估。按非合規(guī)性流程對其進(jìn)行了處理（即未進(jìn)行老化處理等操作）并且僅在 25°C 的額定溫度下進(jìn)行了測試。這些器件不適用于鑒定、量產(chǎn)、輻射測試或飛行。也不保證這些器件在 MIL 規(guī)定的 –55°C 至 125°C 完整溫度范圍內(nèi)或運行壽命中的性能。
(5) 重量誤差在 ±10% 以內(nèi)。
標(biāo)準(zhǔn) DDR 應(yīng)用