在開始 TPS7H3301-SP 布局設(shè)計(jì)之前，請(qǐng)考慮以下幾點(diǎn)。
- VLDOIN 的輸入旁路電容器應(yīng)盡可能靠近引腳放置，并具有短而寬的連接。
- VTT/VO 的輸出電容器應(yīng)靠近引腳放置，并具有短而寬的連接，從而避免額外的 ESR 和/或 ESL 引線電感。
- VTTSNS 應(yīng)連接到 VTT/VO 輸出電容器的正節(jié)點(diǎn)，作為與高電流電源線分離的布線。強(qiáng)烈建議使用此配置，以避免額外的 ESR 和/或 ESL。如果需要檢測(cè)負(fù)載點(diǎn)的電壓，建議在該點(diǎn)連接一個(gè)或多個(gè)輸出電容器。此外，建議盡量減少 GND 引腳和輸出電容器之間接地引線的任何額外 ESR 和/或 ESL。
- 如果 VTT/VO 輸出電容器的 ESR 大于 2mΩ，請(qǐng)考慮在 VTTSNS 處添加低通濾波器。
- VDDQSNS 可與 VLDOIN 分開連接。請(qǐng)記住，該檢測(cè)電勢(shì)是 VTTREF 的基準(zhǔn)電壓。避免任何產(chǎn)生噪聲的線路。
- VTT/VO 輸出電容器的負(fù)節(jié)點(diǎn)和 VTTREF 電容器應(yīng)連接在一起，避免出現(xiàn)連接到 VTT/VO 灌電流和拉電流的高電流路徑的公共阻抗。
- GND 和 PGND 引腳應(yīng)連接到芯片焊盤下方的導(dǎo)熱焊盤，并通過(guò)多個(gè)過(guò)孔連接到內(nèi)部系統(tǒng)接地平面（為了獲得更好的結(jié)果，至少使用兩個(gè)內(nèi)部接地平面）。使用盡可能多的過(guò)孔來(lái)減小 PGND/GND 與系統(tǒng)接地平面之間的阻抗。此外，將大容量電容器放置在靠近 DIMM/模塊或存儲(chǔ)器負(fù)載點(diǎn)的位置并將 VTTSNS 路由至 DIMM/模塊負(fù)載檢測(cè)點(diǎn)。
- 為了有效地去除封裝中的熱量，請(qǐng)適當(dāng)?shù)販?zhǔn)備導(dǎo)熱焊盤。將焊料直接涂在封裝的散熱焊盤上。元件的寬布線和連接到導(dǎo)熱焊盤的側(cè)覆銅有助于散熱。還應(yīng)使用連接在導(dǎo)熱焊盤與內(nèi)部/焊接面接地平面之間的多個(gè)直徑為 0.33mm 或更小的過(guò)孔，以幫助散熱。