ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- HKR|16
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.2.2.6 S3 和偽 S5 支持
TPS7H3301-SP 通過(guò) EN 功能提供 S3 支持。EN 引腳可以連接到終端應(yīng)用中的 SLP_S3 信號(hào)。當(dāng) EN = 高電平（S0 狀態(tài)）時(shí)，VTTREF 和 VTT/VO 均開(kāi)啟。VTTREF 在 VTT/VO 關(guān)閉時(shí)保持不變，在 EN = 低電平（S3 狀態(tài)）時(shí)通過(guò)內(nèi)部放電 MOSFET 進(jìn)行放電。請(qǐng)注意，EN 信號(hào)僅控制 VTT/VO 的輸出緩沖器，因此，在 S3 狀態(tài)下，存在 VDDQSNS 是為了將數(shù)據(jù)保持在易失性存儲(chǔ)器中。因此，當(dāng) EN 被設(shè)置為高電平以退出 S3 狀態(tài)時(shí)，需要盡快使 VO/VTT 進(jìn)入穩(wěn)壓狀態(tài)。這會(huì)導(dǎo)致輸出電流受到器件和輸出電容器的電流限值的控制。
當(dāng) EN = 低電平且 VDDQSNS 電壓低于 0.78V 時(shí)，TPS7H3301-SP 進(jìn)入偽 S5 狀態(tài)。當(dāng)啟用偽 S5 支持（S4/S5 狀態(tài)）時(shí)，VTT/V O 和 VTTREF 輸出均關(guān)閉并通過(guò)內(nèi)部 MOSFET 放電至 GND。圖 8-3 顯示了一個(gè)使用 S3 和偽 S5 支持的應(yīng)用的典型啟動(dòng)和關(guān)閉時(shí)序圖。
圖 8-3 S3 和偽 S5 支持的典型時(shí)序圖