ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP
PRODUCTION DATA
當(dāng)針對 DDR 終端應(yīng)用進(jìn)行配置時(shí)，VTTREF 會緩沖存儲器應(yīng)用的 DDR VTT 基準(zhǔn)電壓。VTTREF 塊包含一個(gè)片上 1/2 電阻分壓器和一個(gè)低通濾波器 (LPF)。VTTREF 在 15mV 內(nèi)跟蹤 1/2 VDDQSNS。它能夠支持 10mA 的拉電流和灌電流負(fù)載。當(dāng) VDDQSNS 電壓上升至 0.78V 且 UVLO/VIN 高于 UVLO 閾值時(shí)，VTTREF 變?yōu)橛行顟B(tài)。當(dāng) VTTREF 小于 0.76V 時(shí)，VTTREF 被禁用，隨后通過內(nèi)部 MOSFET 放電至 GND。VTTREF 放電后，VTT/VO 也會放電。VTTREF 不受 EN 引腳狀態(tài)的影響。為了符合穩(wěn)定性標(biāo)準(zhǔn)，必須在 VTTREF（引腳 1）附近安裝一個(gè)最小 0.1μF 的陶瓷電容器。VTTREF（引腳 1）處的電容器容值不得超過 2.2μF。