9 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLW (May 2025)to RevisionX (May 2025)
- 更新了整個(gè)文檔中的表格、圖和交叉參考的編號(hào)格式Go
- 添加了新器件接地引腳電流規(guī)格Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLV (September 2024)to RevisionW (May 2025)
- 更新了 DRB0008A 封裝外形圖的 DRB (VSON)Go
- 添加了新的硅基 DBV 熱性能信息Go
- 在 使能引腳和關(guān)斷 部分，更改了對(duì) EN 的討論，并添加了有關(guān) EN 打開(kāi)穩(wěn)壓器的信息Go
- 刪除了封裝安裝 部分Go
- 將 器件命名規(guī)則 表中的 舊芯片 更改為 舊硅片
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Date Letter Revision History Changes Intro HTMLU (January 2015)to RevisionV (September 2024)
- 更新了整個(gè)文檔中的表格、圖和交叉參考的編號(hào)格式Go
- 向文檔中添加了 M3 器件并添加了 M3 新器件熱性能信息 表Go
- 更改了最大輸出電流Go
- 更改了 VFB 典型值Go
- 添加了新器件電流限值Go
- 向 典型特性 部分添加了新器件圖Go
- 將 設(shè)計(jì)參數(shù)（固定電壓版本） 表中的 輸出電流 值從 500mA 更改為 400mA
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- 更新了 詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程 部分：將壓降電壓值從 0.5A 更改為 0.4A，將最大壓降電壓從估算值更改為 200mV
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- 向應(yīng)用曲線(xiàn)部分添加了新硅片圖表Go
- 向 布局示例 部分添加了 DBV 封裝可調(diào)版本的布局示例 和 DCQ 封裝固定版本的布局示例 圖Go
- 向 器件命名規(guī)則 部分添加了 M3 信息Go