ZHCSMC2X September 2003 – May 2025 TPS736
PRODUCTION DATA
一個(gè)精準(zhǔn)帶隙基準(zhǔn)用于生成內(nèi)部基準(zhǔn)電壓 VREF。這個(gè)基準(zhǔn)是 TPS736 內(nèi)的主要噪聲源并且在基準(zhǔn)輸出 (NR) 上產(chǎn)生大約 32μVRMS(10Hz 至 100kHz)。穩(wěn)壓器控制環(huán)路對基準(zhǔn)噪聲的增益補(bǔ)償與對基準(zhǔn)電壓的增益補(bǔ)償一致,這樣穩(wěn)壓器的噪聲電壓可大約確定為:

由于 VREF 的值為 1.2V,這一相互關(guān)系減少至:

(對于沒有 CNR 的情況)。
當(dāng)一個(gè)外部降噪電容器 CNR 被從 NR 接至接地時(shí),一個(gè)與降噪引腳 (NR) 串聯(lián)的內(nèi)部 27k? 電阻器為電壓基準(zhǔn)形成一個(gè)低導(dǎo)通濾波器。因?yàn)?CNR = 10nF,根據(jù)給出的大致關(guān)系,10Hz 至 100kHz 帶寬內(nèi)的總噪聲被減少了大約 3.2 倍:

CNR = 10nF。
該降噪效應(yīng)顯示在 典型特性 部分的 RMS 噪聲電壓與 CNR 間的關(guān)系圖中。
TPS73601 可調(diào)版本沒有可用的 NR 引腳。不過,將一個(gè)反饋電容器 CFB 從輸出連接至反饋引腳 (FB) 將降低輸出噪聲并提升負(fù)載瞬態(tài)性能。
TPS736 使用一個(gè)內(nèi)部電荷泵來形成內(nèi)部電源電壓,此電壓足以將 NMOS 導(dǎo)通晶體管元件的柵極驅(qū)動(dòng)至高于 VOUT 的水平。此電荷泵在大約 4MHz 時(shí)生成大約 250μV 的開關(guān)噪聲;然而,對于大多數(shù) IOUT 和 COUT 的值,電荷泵噪聲對于穩(wěn)壓器輸出的影響可以忽略不計(jì)。