ZHCSMC2X September 2003 – May 2025 TPS736
PRODUCTION DATA
TPS736 使用一個(gè) NMOS 導(dǎo)通晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)極低壓降。當(dāng) (VIN – VOUT) 低于壓降電壓 (VDO) 時(shí)，NMOS 導(dǎo)通晶體管處于其運(yùn)行的線性區(qū)域并且輸入到輸出電阻是 NMOS 導(dǎo)通晶體管的 RDS(on)。
對(duì)于負(fù)載電流的較大階躍變化，TPS736 需要從 VIN 到 VOUT 的更大壓降，以避免降低瞬態(tài)響應(yīng)性能。這個(gè)瞬變壓降區(qū)域的邊界大約為 dc 輸出的兩倍。在這個(gè)邊界之上的 VIN – VOUT 的值提供了正常瞬態(tài)響應(yīng)。
在瞬態(tài)壓降區(qū)域內(nèi)運(yùn)行會(huì)增加恢復(fù)時(shí)間。從一個(gè)負(fù)載瞬態(tài)中恢復(fù)所需的時(shí)間是負(fù)載電流速率變化幅度、負(fù)載電流的變化速率、和可用動(dòng)態(tài)空間（VIN 至 VOUT 壓降）的函數(shù)。在最差的情況下（(VIN – VOUT) 的滿量程瞬時(shí)負(fù)載變化接近 DC 壓降水平），TPS736 可在幾百毫秒內(nèi)返回特定的調(diào)節(jié)精度。