9 修訂歷史記錄

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (April 2015)to RevisionE (January 2024)

• 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
• 更新了數(shù)據(jù)表標(biāo)題，以包含“汽車類”。在數(shù)據(jù)表中通篇添加了 WEBENCH? 鏈接向提到的 PowerPAD 封裝添加了“集成電路”。將 MOSFET 電阻從 110m? 更改為 100m?。將 I _Q 從 18μA 更改為 15μAGo
• 更新了“封裝信息”表的注釋。將精度更新為兩位有效數(shù)字Go
• 將引腳配置圖標(biāo)題更改為“DDA 封裝 8 引腳 SOIC（帶散熱焊盤）頂視圖”，并將標(biāo)題移至正確的位置。將“PowerPAD”更改為“DAP”Go
• 將“絕對最大額定值”表更新為新格式，其中不包括特定參數(shù)名稱，但包括最小值和最大值列。在表頭中標(biāo)出了 T_J。使用了引腳名稱而不是信號名稱。BOOT 和 PH 電壓現(xiàn)在標(biāo)記為輸出電壓。更新了腳注并刪除了注釋 2Go
• 將 BOOT 至 PH 絕對最大值從 10V 更改為 6VGo
• 刪除了 BOOT 至 GND 電壓的絕對最大額定值Go
• 刪除了 MM ESDGo
• 將 CDM ESD 電壓從 ±1500V 更改為 ±750VGo
• 將建議的工作“V_I”更改為“輸入電壓”Go
• 更新了熱性能信息腳注以匹配當(dāng)前 TI 標(biāo)準(zhǔn)，其中包括 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)信息。添加了 EVM R_θJA 信息Go
• 將 R_θJA 從 41.2 更改為 42.3，將 R_θJC(top) 從 44.4 更改為 46，將 R_θJB 從 22.1 更改為 15，將 ψ_JB 從 21.9 更改為 15.3，并將 R_θJC(bot) 從 3 更改為 6Go
• 添加了典型規(guī)格 EC 表頭的條件，添加了參數(shù)名稱，并在參數(shù)描述中使用了引腳名稱。添加了表注Go
• 將 V_FB 的測試條件從“I_O = 0A 至 3A”更改為“T_J =–40°C 至 125°C”，將 r_DS(ON) 更改為 R_DSON(HS)，并將 R_DSON(HS) 的測試條件從“VIN = 5.5V”更改為“V_IN = 5.5V，V_BOOT-SW = 4.0V”。Go
• 將 I_Q 的名稱在 ENA 為低電平時更改為 I_SD(VIN)，在芯片處于激活狀態(tài)時更改為 I_Q(VIN) Go
• 添加了 D_MAX 的測試條件“f_SW = 500kHz”，并添加了第二個 R_DSON(HS) 規(guī)格的測試條件“V_IN = 12V，V_BOOT-SW = 4.5V”Go
• 將 I_Q(VIN) 典型值從 3mA 更改為 2mA，將 I_SD(VIN) 典型值從 18μA 更改為 15μA，將 VIN_UVLO(H) 從 330mV 更改為 0.35V，并將 V_EN(H) 從 450mV 更改為 325mVGo
• 將 VIN = 5V 時的 R_DS(ON) 典型值從 150mΩ 更改為 125mΩ，并將 VIN = 12V 時的典型值從 110mΩ 更改為 100mΩGo
• 將概述 中的“110mΩ 高側(cè) MOSFET”更改為“100mΩ 高側(cè) MOSFET”，并將 18μA 更改為 15μAGo
• 將功能方框圖中的“PowerPAD”更改為“DAP”Go
• 將使能 (ENA) 和內(nèi)部慢啟動 部分中的關(guān)斷電流從 18μA 更改為 15μAGo
• 將 UVLO 描述中的 UVLO 遲滯從 330mV 更改為 350mVGo
• 將圖 7-1中 TPS5430DDA 封裝圖的“PwPd”更改為“DAP”，并將電路說明中的“裸露的散熱焊盤”更改為“DAP”Go
• 添加了“使用 WEBENCH? 工具創(chuàng)建定制設(shè)計方案”部分Go
• 將圖 7-9 和圖 7-10 中 TPS5430DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
• 將圖 7-11 中 TPS5430DDA 封裝圖上的“PwPd”更改為“DAP”Go
• 從布局示例 部分刪除了焊盤圖案Go
• 添加了“使用 WEBENCH? 工具創(chuàng)建定制設(shè)計方案”部分Go