ZHCSQS9E November 2007 – January 2024 TPS5430-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
訂購信息
4 引腳配置和功能
圖 4-1 DDA 封裝8 引腳 SOIC（帶散熱焊盤）頂視圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | 類型 | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 編號 | 名稱 | ||
| 1 | BOOT | O | 高側(cè) FET 柵極驅(qū)動器的升壓電容器。從 BOOT 引腳至 PH 引腳連接一個 0.01μF 低 ESR 電容器。 |
| 2、3 | NC | — | 無連接，不是 IO |
| 4 | VSENSE | I | 穩(wěn)壓器的反饋電壓。連接到輸出電壓分壓器。 |
| 5 | ENA | I | 導(dǎo)通和關(guān)閉控制。低于 0.5V，器件停止切換。懸空引腳以啟用。 |
| 6 | GND | — | 地。連接至 DAP。 |
| 7 | VIN | I | 輸入電源電壓。旁路 VIN 引腳至 GND 引腳靠近采用高質(zhì)量、低 ESR 陶瓷電容器的器件封裝。 |
| 8 | PH | O | 高側(cè)功率 MOSFET 的源極。連接至外部電感器和二極管。 |
| — | DAP | — | 必須將 GND 引腳連接到外露焊盤才能正常運行。 |