ZHCSQS9E November 2007 – January 2024 TPS5430-Q1
PRODUCTION DATA
TPS5430-Q1 是一款 3A 降壓穩(wěn)壓器，具有一個(gè)集成式高側(cè) N 溝道 MOSFET。TPS5430-Q1 通過高達(dá) 36V 的電源軌運(yùn)行。該器件通過電壓前饋實(shí)現(xiàn)恒定頻率電壓模式控制，來改善線性調(diào)整率和線性瞬態(tài)響應(yīng)。內(nèi)部補(bǔ)償降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性并減少了外部元件數(shù)量。
集成式 100mΩ 高側(cè) MOSFET 支持高效電源設(shè)計(jì)，可以向負(fù)載提供 3A 的連續(xù)電流。從 BOOT 連接至 PH 引腳的自舉電容器為集成高側(cè) MOSFET 提供柵極驅(qū)動(dòng)偏置電壓。該器件通過集成自舉再充電二極管來減少外部元件數(shù)量。
TPS5430-Q1 的默認(rèn)輸入啟動(dòng)電壓為 5.3V（典型值）。ENA 引腳可用于禁用該器件，將電源電流典型值降低至 15μA。當(dāng) ENA 引腳懸空時(shí)，內(nèi)部上拉電流源實(shí)現(xiàn)運(yùn)行。該器件包括內(nèi)部慢啟動(dòng)電路，此電路可在啟動(dòng)期間減慢輸出上升時(shí)間，以減少浪涌電流和輸出電壓過沖。最小輸出電壓為內(nèi)部 1.221V 反饋基準(zhǔn)。通過過壓保護(hù) (OVP) 比較器使輸出過壓瞬變最小化。激活 OVP 比較器時(shí)，關(guān)閉高側(cè) MOSFET，并使其保持關(guān)閉，直至輸出電壓低于期望輸出電壓的 112.5%。
內(nèi)部逐周期過流保護(hù)限制集成高側(cè) MOSFET 中的峰值電流。對(duì)于連續(xù)過流故障情況，該器件將進(jìn)入斷續(xù)模式過流限制。熱保護(hù)防止器件過熱。