ZHCSQS9E November 2007 – January 2024 TPS5430-Q1
PRODUCTION DATA
通過(guò)檢測(cè)高側(cè) MOSFET 的漏源電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流限制。然后將漏源電壓與表示過(guò)流閾值限制的電壓電平進(jìn)行比較。如果漏源電壓超過(guò)過(guò)流閾值限制值，則過(guò)流指示器設(shè)置為 true（真）。在每個(gè)周期開(kāi)始時(shí)的前沿消隱時(shí)間內(nèi)，系統(tǒng)會(huì)忽略過(guò)流指示器，以避免任何開(kāi)啟噪聲干擾。
一旦過(guò)流指示器設(shè)置為 true（真），就會(huì)觸發(fā)過(guò)流限制。在傳播延遲之后，高側(cè) MOSFET在周期的剩余時(shí)間內(nèi)關(guān)閉。過(guò)流限制模式稱為逐周期電流限制。
有時(shí)在短路等嚴(yán)重過(guò)載情況下，使用逐周期電流限制時(shí)仍可能會(huì)發(fā)生過(guò)流失控。使用第二種電流限制模式，即斷續(xù)模式過(guò)流限制。在斷續(xù)模式過(guò)流限制期間，電壓基準(zhǔn)接地，且高側(cè) MOSFET在斷續(xù)時(shí)間內(nèi)關(guān)閉。斷續(xù)時(shí)間段結(jié)束之后，穩(wěn)壓器在慢啟動(dòng)電路的控制下重新啟動(dòng)。