ZHCSQS9E November 2007 – January 2024 TPS5430-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VIN 引腳） | ||||||
| IQ(VIN) | VIN 靜態(tài)電流 | 非開關(guān)，VSENSE = 2V，PH 引腳開路 | 2 | 4.4 | mA | |
| ISD(VIN) | VIN 關(guān)斷電源電流 | 關(guān)斷，ENA = 0V | 15 | 50 | μA | |
| UVLO | ||||||
| VINUVLO(R) | VIN UVLO 上升閾值 | VVIN 上升 | 5.3 | 5.5 | V | |
| VINUVLO(H) | VIN UVLO 遲滯 | 0.35 | V | |||
| 電壓基準(zhǔn) | ||||||
| VFB | FB 電壓 | TJ = 25°C | 1.202 | 1.221 | 1.239 | V |
| VFB | FB 電壓 | TJ = –40°C 至 125°C | 1.196 | 1.221 | 1.245 | V |
| 振蕩器 | ||||||
| fSW | 開關(guān)頻率 | 400 | 500 | 600 | kHz | |
| tON(min) | 最小 ON 脈沖寬度 。 | 150 | 200 | ns | ||
| DMAX | 最大占空比 | fSW = 500kHz | 87% | 89% | ||
| 使能（ENA 引腳） | ||||||
| VEN(R) | ENA 電壓上升閾值 | 1.3 | V | |||
| VEN(F) | ENA 電壓下降閾值 | 0.5 | V | |||
| VEN(H) | ENA 電壓遲滯 | 325 | mV | |||
| tSS | 內(nèi)部慢啟動(dòng)時(shí)間（0~100%） | 5.4 | 8 | 10 | ms | |
| 過流保護(hù) | ||||||
| IHS(OC) | 高側(cè)峰值電流限制 | 4.0 | 5.0 | 7.0 | A | |
| 重啟之前的斷續(xù)時(shí)間 | 13 | 16 | 21 | ms | ||
| 輸出 MOSFET | ||||||
| RDSON(HS) | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VIN = 12V，VBOOT-SW = 4.5V | 100 | 230 | mΩ | |
| RDSON(HS) | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VIN = 5.5V，VBOOT-SW = 4.0V | 125 | mΩ | ||
| 熱關(guān)斷 | ||||||
| TJ(SD) | 熱關(guān)斷閾值(1) | 溫度上升 | 135 | 162 | °C | |
| TJ(HYS) | 熱關(guān)斷遲滯 (1) | 14 | °C | |||