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ZHCSK91A August 2019 – September 2019 TPS23882

PRODUCTION DATA.

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RTQ|56
- MPQF168D

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RTQ|56
- QFND490A

訂購信息

6.5 電氣特性

條件為 –40°C < T_J< 125°C（除非另有說明）。V_VDD = 3.3V，V_VPWR = 54V，V_DGND = V_AGND，DGND、KSENSA、KSENSB、KSENSC 和 KSENSD 連接至 AGND，且所有輸出均為空載，2xFBn = 0。正電流進(jìn)入引腳。R_S = 0.200Ω，連接至 KSENSA（SEN1 或 SEN2）、KSENSB（SEN3 或 SEN4）、KSENSC（SEN5 或 SEN6）或 KSENSD（SEN7 或 SEN8）。典型值為 25°C 下的值。除非另有說明，否則所有電壓均以 AGND 為基準(zhǔn)。除非另有說明，否則操作寄存器加載默認(rèn)值。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電源 VPWR
I_VPWR	VPWR 電流消耗	VVPWR = 54V		10	12.5	mA
V_{UVLOPW_F}	VPWR UVLO 下降閾值	檢查內(nèi)部振蕩器停止運行	14.5		17.5	V
V_{UVLOPW_R}	VPWR UVLO 上升閾值		15.5		18.5	V
V_{PUV_F}	VPWR 欠壓下降閾值	VPUV 閾值	25	26.5	28	V
輸入電源 VDD
I_VDD	VDD 電流消耗			6	12	mA
V_{UVDD_F}	VDD UVLO 下降閾值	針對通道失效	2.1	2.25	2.4	V
V_{UVDD_R}	VDD UVLO 上升閾值		2.45	2.6	2.75	V
V_{UVDD_HYS}	遲滯 VDD UVLO			0.35		V
V_{UVW_F}	VDD UVLO 警告閾值	VDD 下降	2.6	2.8	3	V
模數(shù)轉(zhuǎn)換器
T_{CONV_I}	轉(zhuǎn)換時間	所有范圍，每個通道	0.64	0.8	0.96	ms
T_{CONV_V}	轉(zhuǎn)換時間	所有范圍，每個通道	0.82	1.03	1.2	ms
T_{INT_CUR}	積分時間，電流	每個通道，通道導(dǎo)通電流	82	102	122	ms
T_{INT_DET}	積分時間，檢測		13.1	16.6	20	ms
T_{INT_channelV}	積分時間，通道電壓	通道受電	3.25	4.12	4.9	ms
T_{INT_inV}	積分時間，輸入電壓		3.25	4.12	4.9	ms
	輸入電壓轉(zhuǎn)換比例因子和精度	VVPWR = 57V	15175	15565	15955	計數(shù)
		VVPWR = 57V	55.57	57	58.43	V
		VVPWR = 44V	11713	12015	12316	計數(shù)
		VVPWR = 44V	42.89	44	45.10	V
	受電通道電壓轉(zhuǎn)換比例因子和精度	VVPWR - VDRAINn = 57V	15175	15565	15955	計數(shù)
		VVPWR - VDRAINn = 57V	55.57	57	58.43	V
		VVPWR - VDRAINn = 44V	11713	12015	12316	計數(shù)
		VVPWR - VDRAINn = 44V	42.89	44	45.10	V
δV/V_Channel	電壓讀數(shù)精度		-2.5		2.5	%
	受電通道電流轉(zhuǎn)換比例因子和精度	通道電流 = 770mA	8431	8604	8776	計數(shù)
		通道電流 = 770mA	754.5	770	785.4	mA
		通道電流 = 100mA	1084	1118	1152	計數(shù)
		通道電流 = 100mA	97	100	103	mA
δI/I_Channel	電流讀數(shù)精度	通道電流 = 100mA	-3		3	%
δI/I_Channel	電流讀數(shù)精度	通道電流 = 770mA	-2		2	%
δR/R_Channel	電阻讀數(shù)精度	15kΩ ≤ R_Channel ≤ 33kΩ，C_Channel≤ 0.25µF	–7		7	%
I_bias	檢測引腳偏置電流	通道導(dǎo)通或在分級期間	-2.5		0	µA
柵極 1-8
V_GOH	柵極驅(qū)動電壓	V_GATEn，I_GATE = -1µA	10		12.5	V
I_GO-	上電復(fù)位、檢測到 OSS 或通道關(guān)斷命令時的柵極灌電流	V_GATEn = 5V	60	100	190	mA
I_{GO short-}	通道短路時的柵極灌電流	V_GATEn = 5V， V_SENn ≥ V_short（如果是 2X 模式，則為 V_short2X）	60	100	190	mA
I_GO+	柵極拉電流	V_GATEn= 0V，默認(rèn)選擇	39	50	63	µA
t_{D_off_OSS}	1 位 OSS 輸入的柵極關(guān)斷時間	從 OSS 到 VGATEn < 1V， VSENn = 0V，MbitPrty = 0	1		5	µs
t_{OSS_OFF}	3 位 OSS 輸入的柵極關(guān)斷時間	從起始位下降沿到 VGATEn < 1V， VSENn = 0V，MbitPrty = 1	72		104	µs
t_{P_off_CMD}	通道關(guān)斷命令的柵極關(guān)斷時間	從通道關(guān)斷命令 (POFFn = 1) 到 V_GATEn < 1V，V_SENn = 0V			300	µs
t_{P_off_RST}	使用 /RESET 時的柵極關(guān)斷時間	從 /RESET 低電平到 V_GATEn < 1V，V_SENn = 0V	1		5	µs
漏極 1-8
V_PGT	電源正常閾值	在 V_DRAINn 測得	1	2.13	3	V
V_SHT	短接 FET 閾值	在 V_DRAINn 測得	4	6	8	V
R_DRAIN	從 DRAINn 到 VPWR 的電阻	除檢測期間或通道導(dǎo)通時的任何工作模式，包括器件 RESET 狀態(tài)	80	100	190	kΩ
AUTOCLASS
t_{Class_ACS}	開始 Autoclass 檢測	從分級開始時測量	90		100	ms
t_{AUTO_PSE1}	開始 Autoclass 功率測量	從浪涌結(jié)束時測量	1.4		1.6	s
t_{AUTO_PSE1}	開始 Autoclass 功率測量	在通道已受電時通過設(shè)置 MACx 位測得			10	ms
t_AUTO	Autoclass 功率測量持續(xù)時間		1.7	1.8	1.9	s
t_{AUTO_window}	Autoclass 功率測量滑動窗口期		0.15		0.3	s
P_AC	Autoclass 通道功率轉(zhuǎn)換比例因子和精度	VPWR = 52V，VDRAINn = 0V，通道電流 = 770mA	76	80	84	計數(shù)
P_AC	Autoclass 通道功率轉(zhuǎn)換比例因子和精度	VPWR = 50V，VDRAINn = 0V，通道電流 = 100mA	9	10	11
檢測
I_DISC	檢測電流	第 1 和第 3 檢測點， VVPWR - VDRAINn = 0V	145	160	190	µA
I_DISC	檢測電流	第 2 和第 4 檢測點，VVPWR - VDRAINn = 0V	235	270	300	µA
ΔI_DISC	第 2 次 – 第 1 次檢測電流	VVPWR - VDRAINn = 0V	98	110	118	µA
V_{det_open}	開路檢測電壓	通過 VVPWR - VDRAINn 測得	23.5	26	29	V
R_{REJ_LOW}	拒絕電阻低范圍		0.86		15	kΩ
R_{REJ_HI}	拒絕電阻高范圍		33		100	kΩ
R_ACCEPT	接受電阻范圍		19	25	26.5	kΩ
R_SHORT	短接通道閾值				360	Ω
R_OPEN	開路通道閾值		400			kΩ
t_DET	檢測持續(xù)時間	完成檢測的時間	275	350	425	ms
t_{DET_BOFF}	檢測發(fā)現(xiàn)嘗試之間的退避暫停	VVPWR - VDRAINn > 2.5V	300	400	500	ms
t_{DET_BOFF}	檢測發(fā)現(xiàn)嘗試之間的退避暫停	VVPWR - VDRAINn < 2.5V	20		100	ms
t_{DET_DLY}	檢測延遲	從命令或 PD 連接到通道檢測完成			590	ms
	電容測量	Cport = 10uF	8.5	10	11.5	uF
分級
V_CLASS	分級電壓	VVPWR - VDRAINn，VSENn ≥ 0mV I_channel ≥ 180µA	15.5	18.5	20.5	V
I_{CLASS_Lim}	分級電流限制	VVPWR - VDRAINn = 0V	65	75	90	mA
I_{CLASS_TH}	分級閾值電流	0-1 級	5		8	mA
		1-2 級	13		16	mA
		2-3 級	21		25	mA
		3-4 級	31		35	mA
		4 級過流	45		51	mA
t_LCE	分級持續(xù)時間（第 1 指）	從檢測完成	95		105	ms
t_CLE2/3	分級持續(xù)時間（第 2 指和第 3 指）	從標(biāo)記完成	6.5		12	ms
標(biāo)記
V_MARK	標(biāo)記電壓	4mA ≥ I_Channel ≥ 180µA VVPWR - VDRAINn	7		10	V
I_{MARK_Lim}	標(biāo)記灌電流限制	VVPWR - VDRAINn = 0V	60	75	90	mA
t_ME	標(biāo)記持續(xù)時間		6		12	ms
直流斷開
V_IMIN	直流斷開閾值		0.8	1.3	1.8	mV
t_MPDO	PD 維持功率特征壓降時間限制	TMPDO = 00	320		400	ms
		TMPDO = 01	75		100	ms
		TMPDO = 10	150		200	ms
		TMPDO = 11	600		800	ms
t_MPS	PD 維持功率特征有效時間			2.5	3	ms
端口功率管制
δP_CUT/P_CUT	PCUT 容差	POL ≤ 15W	0	5	10	%
δP_CUT/P_CUT	PCUT 容差	15W < POL < 60W	0	3	6	%
t_OVLD	PCUT 時間限制	TOVLD = 00	50		70	ms
		TOVLD = 01	25		35
		TOVLD = 10	100		140
		TOVLD = 11	200		280
端口電流浪涌
V_Inrush	浪涌電流限制，ALTIRNn = 0	VVPWR - VDRAINn = 1V	19	30	41	mV
		VVPWR - VDRAINn = 10V	19	30	41
		VVPWR - VDRAINn = 15V	33	44	55
		VVPWR - VDRAINn = 30V	80		90
		VVPWR - VDRAINn = 55V	80		90
	浪涌電流限制，ALTIRNn = 1	VVPWR - VDRAINn = 1V	19	30	41
		VVPWR - VDRAINn = 10V	36	47	58
		VVPWR - VDRAINn = 15V	53	64	75
		VVPWR - VDRAINn = 30V	80		90
		VVPWR - VDRAINn = 55V	80		90
t_START	啟動時的最大電流限制持續(xù)時間	TSTART = 00	50		70	ms
		TSTART = 01	25		35
		TSTART = 10	100		140
端口電流折返
V_LIM	ILIM 1X 限制，2xFB = 0，ALTFBn = 0	VDRAINn = 1V	80		90	mV
		VDRAINn = 15V	80		90
		VDRAINn = 30V	51	58	65
		VDRAINn = 50V	23	30	37
	ILIM 1X 限制，2xFB = 0，ALTFBn = 1	VDRAINn = 1V	80		90
		VDRAINn = 25V	80		90
		VDRAINn = 40V	45	51	57
		VDRAINn = 50V	23	30	37
V_LIM2X	ILIM 2X 限制，2xFB = 1，ALTFBn = 0	VDRAINn = 1V	245	250	262	mV
		VDRAINn = 10V	164	180	196
		VDRAINn = 30V	51	58	64
		VDRAINn = 50V	23	30	37
	ILIM 2X 限制，2xFB = 1，ALTFBn = 1	VDRAINn = 1V	245	250	262
		VDRAINn = 20V	139	147	155
		VDRAINn = 40V	45	51	57
		VDRAINn = 50V	23	30	37
t_LIM	ILIM 時間限制	2xFBn = 0	55	60	65	ms
	2xFBn = 1	TLIM = 00	55	60	65
		TLIM = 01	15	16	17
		TLIM = 10	10	11	12
		TLIM = 11	6	6.5	7
短路保護(hù)
V_short	1X 模式下和浪涌期間的 I_SHORT 閾值		205		245	mV
V_short2X	2X 模式下的 I_SHORT 閾值		280		320	mV
t_{D_off_SEN}	SENn 輸入的柵極關(guān)斷時間	2xFBn = 0，VDRAINn = 1V 從 VSENn 脈沖到 0.425V。			0.9	µs
t_{D_off_SEN}	SENn 輸入的柵極關(guān)斷時間	2xFBn = 1，VDRAINn = 1V 從 VSENn 脈沖到 0.62V。			0.9	µs
電流故障恢復(fù)（退避）時間
t_ed	錯誤延遲時間。由于錯誤情況導(dǎo)致在斷電后下一次嘗試為通道供電之前的延遲	P_CUT、I_LIM 或 I_Inrush 故障半自動模式	0.8	1	1.2	s
δI_fault	發(fā)生電流故障時的 I_channel 占空比		5.5		6.7	%
熱關(guān)斷
	關(guān)斷溫度	溫度上升	135	146		°C
	遲滯			7		°C
數(shù)字 I/O（SCL、SDAI、A1-A4、/RESET、OSS，除非另有說明）
V_IH	數(shù)字輸入高電平		2.1			V
V_IL	數(shù)字輸入低電平				0.9	V
V_{IT_HYS}	輸入電壓遲滯		0.17			V
V_OL	數(shù)字輸出電平	SDAO 處于 9mA			0.4	V
V_OL	數(shù)字輸出電平	/INT 處于 3mA			0.4	V
R_pullup	連接至 VDD 的上拉電阻器	/RESET，A1-A4，TEST0	30	50	80	kΩ
R_pulldown	連接至 DGND 的下拉電阻器	OSS，TEST1，TEST2	30	50	80	kΩ
t_{FLT_INT}	故障至 /INT 置位	在內(nèi)部注冊中斷故障的時間，從通道關(guān)斷開始		50	500	µs
T_RESETmin	/RESET 輸入最小脈沖寬度				5	µs
T_{bit_OSS}	3 位 OSS 位周期	MbitPrty = 1	24	25	26	µs
t_{OSS_IDL}	3 位模式下連續(xù)關(guān)斷代碼傳輸之間的空閑時間	MbitPrty = 1	48	50		µs
t_{r_OSS}	3 位模式下 OSS 的輸入上升時間	0.8V → 2.3V，MbitPrty = 1	1		300	ns
t_{f_OSS}	3 位模式下 OSS 的輸入下降時間	2.3V → 0.8V，MbitPrty = 1	1		300	ns
I2C 時序要求
t_POR	器件上電復(fù)位延遲				20	ms
f_SCL	SCL 時鐘頻率		10		400	kHz
t_LOW	時鐘的低電平周期		0.5			µs
t_HIGH	時鐘的高電平周期		0.26			µs
t_fo	SDAO 輸出下降時間	SDAO，2.3V → 0.8V，Cb = 10pF，10kΩ 上拉至 3.3V	10		50	ns
t_fo	SDAO 輸出下降時間	SDAO，2.3V → 0.8V，Cb = 400pF，1.3kΩ 上拉至 3.3V	10		50	ns
C_I2C	SCL 電容				10	pF
C_{I2C_SDA}	SDAI、SDAO 電容				6	pF
t_SU,DATW	數(shù)據(jù)設(shè)置時間（寫入操作）		50			ns
t_HD,DATW	數(shù)據(jù)保持時間（寫入操作）		0			ns
t_HD,DATR	數(shù)據(jù)保持時間（讀取操作）		150		400	ns
t_fSDA	SDAI 的輸入下降時間	2.3V → 0.8V	20		120	ns
t_rSDA	SDAI 的輸入上升時間	0.8V → 2.3V	20		120	ns
t_r	SCL 的輸入上升時間	0.8V → 2.3V	20		120	ns
t_f	SCL 的輸入下降時間	2.3V → 0.8V	20		120	ns
t_BUF	STOP 與 START 狀態(tài)之間的總線空閑時間		0.5			µs
t_HD,STA	（重復(fù)）啟動條件后的保持時間		0.26			µs
t_SU,STA	重復(fù)啟動條件設(shè)置時間		0.26			µs
t_SU,STO	停止條件設(shè)置時間		0.26			µs
t_DG	抑制尖峰脈沖寬度、SDAI 和 SCL		50			ns
t_{WDT_I2C}	I2C 看門狗跳閘延遲		1.1	2.2	3.3	秒