ZHCSM53 October 2020 TPS23731
PRODUCTION DATA
RTN 在內(nèi)部連接到 PoE 熱插拔 MOSFET 的漏極,而 AGND 是直流/直流控制器回路的低噪聲模擬基準(zhǔn)。GND 是反激式電源 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器和 CP 所用的電源接地,應(yīng)綁定到 AGND 和 RTN 平面。應(yīng)將 AGND/GND/RTN 網(wǎng)視為直流/直流控制和轉(zhuǎn)換器初級(jí)側(cè)的本地參考平面(接地層)。PAD_G 外露散熱焊盤從內(nèi)部連接到 RTN 引腳。