ZHCSHP2B October 2017 – November 2018 TPS2372
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細 說明
- 8 應(yīng)用和實現(xiàn)
- 9 電源建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGW|20
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.4.10 PD 熱插拔運行
IEEE802.3bt 新增了有關(guān) 3 型和 4 型運行模式的 PSE 輸出限制要求以便涵蓋更高功率的應(yīng)用和 4 線對 應(yīng)用。2 型、3 型和 4 型 PSE 必須符合已指定最小和最大拉電流邊界的輸出電流與時間關(guān)系模板。每個 2 線對的峰值輸出電流可能高達 50A（持續(xù) 10μs）或 1.75A（持續(xù) 75ms），而通過 4 線對輸電時，總峰值電流將是這些值的兩倍。因此，相對于 IEEE 802.3-2012，該標準更加需要對 PD 設(shè)備進行可靠保護。
內(nèi)部熱插拔 MOSFET 借助限流和抗尖峰脈沖式（延時濾波式）折返功能來防止輸出故障和輸入電壓階躍。導(dǎo)通 MOSFET 出現(xiàn)過載時將觸發(fā)限流功能，結(jié)果使 V(RTN-VSS) 上升。如果 V(RTN-VSS) 上升到大約 14.5V 以上且持續(xù)時間超過大約 1.65ms，則電流限值將恢復(fù)到浪涌值，并且 PG 輸出端被強制為低電平，從而關(guān)閉轉(zhuǎn)換器，但這種情況下沒有適用的最小浪涌延遲周期 (81.5ms)。1.65ms 抗尖峰脈沖功能可防止瞬變使 PD 復(fù)位，但前提是恢復(fù)處于熱插拔和 PSE 保護范圍內(nèi)。Figure 21 顯示了 VDD 至 RTN 短路期間的 RTN 電流曲線示例（使用 5 歐姆負載阻抗）。熱插拔 MOSFET 將進入電流限制范圍，導(dǎo)致 RTN 電壓升高。一旦 VRTN 超過 14.5V，被鉗位到電流限值的 IRTN 將在 1.65ms 后下降到浪涌電流限值水平。
當 V(VDD-VSS) 下降到 UVLO 下方之后又上升到其上方時，也會重新建立浪涌電流限值。
Figure 21. 對 PD 輸出短路的響應(yīng) PD 控制器具有熱傳感器，可用于保護內(nèi)部熱插拔 MOSFET和 MPS 脈沖電流驅(qū)動器。啟動狀態(tài)或 VDD 至 RTN 短路等狀態(tài)會在 MOSFET 中引起高功耗。過熱關(guān)斷 (OTSD) 功能會關(guān)閉熱插拔 MOSFET、類別穩(wěn)壓器和 MPS 驅(qū)動器，它們將在器件冷卻后重新啟動。過熱事件消失后，熱插拔 MOSFET 將被重新啟用，且 TPS2372 將恢復(fù)到浪涌階段。在供電運行期間將 DEN 拉至 VSS 會導(dǎo)致內(nèi)部熱插拔 MOSFET 關(guān)閉。
在以下情況下將強制關(guān)閉熱插拔開關(guān)：
- V(DEN –VSS) < VPD-DIS（當 V(VDD-VSS) 處于運行范圍內(nèi)時），
- PD 過熱，或
- V(VDD –VSS) < PoE UVLO 下降閾值（大約為 32V）。