ZHCSHP2B October 2017 – November 2018 TPS2372
PRODUCTION DATA.
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
當(dāng) V(VDD-VSS) 低于分類下限閾值時， TPS2372 將 DEN 拉至 VSS。當(dāng)輸入電壓上升至高于 VCL_ON 時，DEN 引腳會進(jìn)入漏極開路狀態(tài)以節(jié)能。在檢測時，RTN 為高阻抗，幾乎所有的內(nèi)部電路都被禁用。24.9kΩ (±1%) 的 RDEN 可呈現(xiàn)正確的特征。這可能是一個小型低功耗電阻，因為其負(fù)荷僅為約 5mW。有效的 PD 檢測特征是在 PI 位置有 23.7kΩ 到 26.3kΩ 的增量電阻 (ΔV/ΔI)。
PSE 在 PI 位置看到的檢測電阻是輸入電橋電阻與一個并聯(lián)組合電阻（即 RDEN 與內(nèi)部 VDD 負(fù)載并聯(lián)）串聯(lián)的結(jié)果。向 PI 施加 2.7V 電壓時，輸入二極管電橋的增量電阻大小可能為數(shù)百歐，且流耗較低。在檢測期間，輸入電橋電阻會由 TPS2372 有效電阻進(jìn)行部分補(bǔ)償。
IEEE 802.3bt 的硬件分類協(xié)議規(guī)定，2 型、3 型或 4 型 PSE 在分類序列期間應(yīng)將其輸出電壓降至檢測范圍內(nèi)。在此情況下，PD 需要具有不正確的檢測特征，這稱為標(biāo)記事件（請參閱Figure 17）。第一個標(biāo)記事件發(fā)生后， TPS2372 將呈現(xiàn)小于 12kΩ 的特征，直至其收到低于標(biāo)記復(fù)位閾值 (VMSR) 的 V(VDD-VSS) 電壓。硬件分類 中對此進(jìn)行了全面的說明。