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ZHCSHP2B October 2017 – November 2018 TPS2372

PRODUCTION DATA.

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RGW|20

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

zhcshp2b_oa

6.5 電氣特性

除非另有說(shuō)明，否則 40V ≤ V_VDD ≤ 57V；R_DEN = 24.9kΩ；PG、CLSA、CLSB、MPS_DUTY、AMPS_CTL、IRSHDL_EN、TPH、TPL 和 BT 斷開；V_AUTCLS = V_VSS；R_REF = 49.9kΩ；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C。正電流進(jìn)入引腳。典型值為 25°C 下的值。除非另有說(shuō)明，否則所有電壓均以 V_VSS 為基準(zhǔn)。

參數(shù)		測(cè)試條件		最小值	典型值	最大值	單位
檢測(cè) (DEN)
	偏置電流	DEN 斷開，V_VDD = 10.1V，測(cè)量 I_SUPPLY（VDD、RTN、DEN），不在標(biāo)記中		3	4.8	14	µA
	DEN 泄漏電流	V_DEN = V_VDD = 57V			0.5	5	µA
	檢測(cè)電流	測(cè)量 I_SUPPLY（VDD、RTN、DEN），V_VDD = 1.4V		53.8	56.5	58.3	µA
	檢測(cè)電流	測(cè)量 I_SUPPLY（VDD、RTN、DEN），V_VDD = 10.1V，不在標(biāo)記中		395	410	417	µA
V_{PD_DIS}	禁用閾值	DEN 下降		3	3.7	5	V
V_{PD_DIS}	遲滯			75	150	250	mV
分類 (CLS)
I_CLS	分類 A、B 特征電流	13V ≤ V_VDD ≤ 21V，測(cè)量 I_VDD + I_DEN + I_RTN
		R_CLSA 或 R_CLSB = 1210Ω		2.1	2.5	2.9	mA
		R_CLSA 或 R_CLSB = 249Ω		9.9	10.6	11.2
		R_CLSA 或 R_CLSB = 140Ω		17.6	18.6	19.4
		R_CLSA 或 R_CLSB = 90.9Ω		26.5	27.9	29.3
		R_CLSA 或 R_CLSB = 63.4Ω		38	39.9	42
I_AUTCLS	Autoclass 特征電流	在第 1 類事件期間經(jīng)過(guò) t_ACS 后		1		4	mA
V_{CL_ON}	類下限閾值	V_VDD 上升，I_CLS ↑		11.9	12.5	13	V
V_{CL_H}	類下限閾值	遲滯		1.4	1.6	1.7	V
V_{CU_ON}	類上限閾值	V_VDD 上升，I_CLS ↓		21	22	23	V
V_{CU_H}	類上限閾值	遲滯		0.5	0.78	0.9	V
V_MSR	標(biāo)記復(fù)位閾值	V_VDD 下降		3	3.9	5	V
	標(biāo)記狀態(tài)電阻	在 5V 和 10.1V 進(jìn)行 2 點(diǎn)測(cè)量		6	10	12	kΩ
	泄漏電流	V_VDD = 57V，V_CLS = 0V，測(cè)量 I_CLS				1	µA
t_{LCF_PD}	第一類事件時(shí)間較長(zhǎng)	新 MPS 的第 1 類事件持續(xù)時(shí)間		76	81.5	86	ms
t_ACS	Autoclass 特征時(shí)間	第 1 類事件期間的 AUTCLS		76	81.5	87	ms
	AUTCLS 上拉電流	13V ≤ V_VDD ≤ 21V		30	34	38	μA
導(dǎo)通器件 (RTN)
r_DS(on)	導(dǎo)通電阻		TPS2372-3		0.3	0.55	Ω
r_DS(on)	導(dǎo)通電阻		TPS2372-4		0.1	0.2	Ω
	輸入偏置電流	V_VDD = V_RTN = 30V，測(cè)量 I_RTN				50	µA
	RTN 泄漏電流	V_VDD = V_RTN = 100V，V_DEN = V_VSS，測(cè)量 I_RTN				80	µA
	電流限制	V_RTN = 1.5V	TPS2372-3	1.55	1.85	2.2	A
	電流限制	V_RTN = 1.5V	TPS2372-4	1.9	2.2	2.5	A
	瞬態(tài)輸入浪涌電流限制	V_RTN = 2V， V_VDD：20V → 48V	TPS2372-3	165	200	237	mA
	瞬態(tài)輸入浪涌電流限制	V_RTN = 2V， V_VDD：20V → 48V	TPS2372-4	275	335	395	mA
	浪涌終止	浪涌電流百分比		65%	90%	99%
t_{INR_DEL}	浪涌終止	浪涌延遲		78	81.5	87	ms
	折返閾值	V_RTN 上升		12.5	14.5	15.5	V
	折返抗尖峰脈沖時(shí)間	V_RTN 上升到電流限值變?yōu)槔擞侩娏飨拗禃r(shí)		1.35	1.65	1.95	ms
電源正常 (PG)
	輸出低電壓	測(cè)量 V_PG – V_RTN，I_PG = 2mA，V_RTN = 2V，V_DD：20V → 48V			0.27	0.5	V
	泄漏電流	V_PG = 57V，V_RTN = 0V				10	μA
	泄漏電流	V_PG = 10V，V_RTN = 0V				1	μA
PSE 類型指示（TPL、TPH、BT）
V_TPL	輸出低電壓	I_TPL = 2mA，在進(jìn)行包含 2 個(gè)、3 個(gè)或 5 個(gè)事件的分類后，啟動(dòng)已完成， V_RTN = 0V			0.27	0.5	V
V_TPH	輸出低電壓	I_TPH = 2mA，在進(jìn)行包含 4 個(gè)或 5 個(gè)事件的分類后，啟動(dòng)已完成，V_RTN = 0V			0.27	0.5
V_BT	輸出低電壓	I_BT = 2mA，在 IEEE802.3bt 分類后，啟動(dòng)已完成，V_RTN = 0V			0.27	0.5
	泄漏電流	V_TPL 或 V_TPH 或 V_BT = 7V，V_RTN = 0V				1	µA
t_TPLHBT	TPL、TPH、BT 延遲	從啟動(dòng)期間的 PG：低電平 → 斷開到 TPH 和/或 TPL 和/或 BT 有效		20	24	28	ms
UVLO
V_{UVLO_R}	UVLO 上升閾值	V_VDD 上升		36.3	38.1	40	V
V_{UVLO_F}	UVLO 下降閾值	V_VDD 下降		30.5	32	33.6	V
V_{UVLO_H}	UVLO 遲滯				6.1		V
偏置電流
	工作電流	40V ≤ V_VDD ≤ 57V，啟動(dòng)已完成			550	800	µA
MPS
	MPS 直流電源電流	啟動(dòng)已完成，I_RTN = 0mA				0.8	mA
	AMPS_CTL 脈沖電壓	啟動(dòng)已完成，I_RTN < 20mA， R_MPS = 1KΩ 至 12kΩ		23.1	24	24.9	V
	自動(dòng) MPS 下降電流閾值	啟動(dòng)已完成，I_RTN 閾值用于產(chǎn)生 AMPS_CTL 脈沖		18	28	38	mA
	自動(dòng) MPS 下降電流閾值	RTN 遲滯電流			1		mA
	適用于 1-2 型 PSE 的 MPS 脈沖模式占空比	MPS 脈沖電流占空比		25.8%	26.1%	26.4%
		MPS 脈沖電流開啟時(shí)間		76	81.5	87	ms
		MPS 脈沖電流關(guān)閉時(shí)間			230	250	ms
	適用于 3-4 型 PSE 的 MPS 脈沖模式占空比	MPS 脈沖電流占空比， R_{MPS_DUTY} > 230kΩ		5.2%	5.43%	5.6%
		MPS 脈沖電流開啟時(shí)間， R_{MPS_DUTY} > 230kΩ		14.5	15.0	15.7	ms
		MPS 脈沖電流占空比， R_{MPS_DUTY} < 8kΩ		12.3%	12.5%	12.7%
		MPS 脈沖電流開啟時(shí)間， R_{MPS_DUTY} < 8kΩ		36	37.5	39	ms
		MPS 脈沖電流占空比， 43kΩ < R_{MPS_DUTY} < 77kΩ		7.9%	8.1%	8.3%
		MPS 脈沖電流開啟時(shí)間， 43kΩ < R_{MPS_DUTY} < 77kΩ		22.2	23.1	24	ms
		MPS 脈沖電流關(guān)閉時(shí)間，R_{MPS_DUTY} 從 0Ω 到開路		250	263.5	277	ms
	MPS_DUTY 上拉電流			14	17	20	µA
熱關(guān)斷
	關(guān)斷	T_J↑		140	158		°C
	遲滯 ⁽¹⁾				20		°C

(1) 提供的參數(shù)僅供參考，不構(gòu)成 TI 發(fā)布的規(guī)格的一部分用于 TI 產(chǎn)品保修。