ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
TAS2120 集成了 SAR ADC 來(lái)監(jiān)測(cè)電源電壓引腳。檢測(cè)電壓用于內(nèi)部器件特性和保護(hù)，也可通過(guò)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線流式傳輸或通過(guò) I2C 寄存器讀取。
可以根據(jù)寄存器 SEL_VBAT_MODE[1:0] 通過(guò) VBAT 或 VBAT_SNS 引腳檢測(cè)電池電壓
| SEL_VBAT_MODE[1:0] | 配置 |
|---|---|
| 00（默認(rèn)值） | 在 VBAT 引腳上進(jìn)行電壓監(jiān)測(cè)。1S 運(yùn)行模式 |
| 01 | 在 VBAT_SNS 引腳上進(jìn)行電壓監(jiān)測(cè)。1S 運(yùn)行模式 |
| 10 | 在 VBAT_SNS 引腳上進(jìn)行電壓監(jiān)測(cè)。2S 運(yùn)行模式 |
| 11 | 保留 |
與 PVDD 引腳電壓相比，監(jiān)測(cè)器 ADC 以更高的速率對(duì) VBAT 引腳進(jìn)行采樣。例如，在外部 PVDD 運(yùn)行模式下，可以交換該采樣速度，以優(yōu)先考慮 PVDD 引腳采樣率，而非 VBAT。
| SUPPLY_SAMPLING_RATE | 配置 |
|---|---|
| 0（默認(rèn)值） | VBAT 采樣率高于 PVDD |
| 1 | PVDD 采樣率高于 VBAT |
VBAT 和 PVDD 監(jiān)測(cè)電壓存儲(chǔ)在寄存器 VBAT_CNV 和 PVDD_CNV 中，可以使用 I2C 命令進(jìn)行讀取。
電源監(jiān)測(cè)器還用于電壓保護(hù)，例如 VBAT 欠壓、PVDD 過(guò)壓和欠壓以及 VBAT2S 欠壓。電壓保護(hù)功能可監(jiān)測(cè)電源電壓，在電壓超過(guò)保護(hù)閾值電平時(shí)關(guān)斷器件。該器件還設(shè)置了相應(yīng)的故障寄存器，可以根據(jù)節(jié) 6.3.2所述的配置的中斷掩碼寄存器在 IRQZ 引腳上產(chǎn)生中斷。器件由于故障條件關(guān)斷后，可以使用 MODE[1:0] 寄存器位使器件重新上電。
PVDD 過(guò)壓保護(hù)基于監(jiān)測(cè)的 PVDD 電壓與可編程閾值的比較，該閾值在內(nèi)部升壓模式下可使用 PVDD_OVLO_TH_SEL 進(jìn)行控制，在外部 PVDD 運(yùn)行模式下可使用 PVDD_OVLO_TH_SEL_EXT 進(jìn)行控制。PVDD 過(guò)壓保護(hù)默認(rèn)啟用，可以通過(guò)將 PVDD_OV_DET_DIS 位設(shè)置為高電平來(lái)禁用。
| PVDD_OVLO_TH_SEL[1:0] | 配置 |
|---|---|
| 00 | 過(guò)壓閾值為 13.5V |
| 01 | 過(guò)壓閾值為 14V |
| 10 | 過(guò)壓閾值為 15V |
| 11（默認(rèn)值） | 過(guò)壓閾值為 16V |