ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RBG|26
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.4.2.4.1 電壓限制器和削波保護(hù)
可以使用 LIM_MODE[1:0] 寄存器配置電源跟蹤限制器。在 VBAT 電壓模式下，限制器跟蹤 VBAT 電源電壓以用于電壓限制器，而在 PVDD 電壓模式下，限制器跟蹤 PVDD 電壓以用于外部 PVDD 模式的用例。
| LIM_MODE[1:0] | 配置 |
|---|---|
| 00（默認(rèn)值） | 禁用 |
| 01 | 基于 VBAT 電壓的限制器 |
| 10 | 基于 PVDD 電壓的限制器 |
| 11 | 保留 |
| SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE | 配置 |
|---|---|
| 0（默認(rèn)值） | 禁用 |
| 1 | 被啟用。限制器閾值會(huì)根據(jù)受監(jiān)測(cè)電源電壓的固定百分比進(jìn)行動(dòng)態(tài)更改。 |
當(dāng) SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE 被設(shè)置為高電平時(shí)，限制器將閾值設(shè)置為受監(jiān)測(cè)電源電壓的固定百分比。當(dāng)輸出信號(hào)電平大于配置的閾值時(shí)，限制器開始降低增益。例如，如果希望電壓限制比電源電壓低 10%，則 LIM_SLOPE[23:0] 被配置為 0.9，閾值通過受監(jiān)測(cè)電源電壓乘以 1.1 計(jì)算得出。類似地，如果 LIM_SLOPE[23:0] 被配置為 > 1.0，則限制器閾值將被設(shè)置為高于電源電壓，并且會(huì)發(fā)生少量受控削波。
圖 6-6 具有動(dòng)態(tài)電源余量的限制器當(dāng) SUPPLY_HEADROOM_LIM_MODE 被設(shè)置為低電平時(shí)，如果輸出信號(hào)電平大于限制器閾值，則限制器開始降低增益。限制器可配置為以最小閾值跟蹤低于可編程拐點(diǎn)的所選電源。下面的圖 6-7 顯示了將限制器配置為限制到一個(gè)恒定電平，而不管所選電源電平如何。要實(shí)現(xiàn)此行為，請(qǐng)使用 LIM_TH_MAX[23:0] 將限制器最大閾值設(shè)置為所需水平。使用 LIM_INF_PT[23:0] 將限制器拐點(diǎn)設(shè)置為低于允許的最小電源電壓設(shè)置。限制器最小閾值寄存器 LIM_TH_MIN[23:0] 不會(huì)影響此用例中的限制器行為。
圖 6-7 具有固定閾值的限制器圖 6-8 顯示了如何配置限制器以跟蹤低于閾值的所選電源，而無需設(shè)置最小閾值。將 LIM_TH_MAX[23:0] 寄存器設(shè)置為所需的閾值，并將 LIM_INF_PT[23:0] 寄存器設(shè)置為限制器開始降低所選電源閾值的所需拐點(diǎn)。LIM_SLOPE[23:0] 寄存器位可用于更改限制器跟蹤電源電壓的斜率（以 V/V 為單位）。例如，如果斜率值為 1V/V，則電源電壓每降低 1V，限制器閾值就會(huì)降低 1V。將 LIM_TH_MIN[23:0] 位編程為低于所選電源的最小值，以防止限制器在跟蹤所選電源時(shí)出現(xiàn)最小閾值降低。
圖 6-8 具有拐點(diǎn)的限制器要實(shí)現(xiàn)跟蹤所選電源低于閾值的限制器，請(qǐng)按照上一個(gè)示例中的說明配置限制器，但需要將 LIM_TH_MIN[23:0] 寄存器編程為所需的最小閾值。下面的圖 6-9 展示了這種情況。
圖 6-9 具有拐點(diǎn)和最小閾值的限制器限制器具有可配置的啟動(dòng)速率（dB/樣本）、保持時(shí)間（樣本數(shù)）和釋放速率（db/樣本），可通過 LIM_ATK_RATE[23:0]、LIM_HLD_COUNT[23:0]、LIM_RLS_RATE[23:0] 寄存器位獲取。