ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
該器件提供靈活的音頻串行接口 (ASI) 端口。該端口可配置為支持多種格式，包括立體聲 I2S、左對(duì)齊和 TDM。通過(guò) SDIN 引腳提供單音頻播放。SDOUT 引腳用于傳輸樣本流，包括 PVDD 電壓、VBAT 電壓、內(nèi)核溫度、狀態(tài)以及用于回聲基準(zhǔn)的音頻。
TDM 串行音頻端口在 44.1/48kHz 采樣率下支持多達(dá) 16 個(gè) 32 位時(shí)隙，在 88.2/96kHz 采樣率下支持多達(dá) 8 個(gè) 32 位時(shí)隙，在 176.4/192kHz 采樣率下支持多達(dá) 4 個(gè) 32 位時(shí)隙。該器件支持 2 個(gè)寬度為 32 位的時(shí)隙，以及 4 個(gè)或 8 個(gè)寬度為 16 位、24 位或 32 位的時(shí)隙。器件可自動(dòng)檢測(cè)時(shí)隙數(shù)，無(wú)需編程。TDM 總線上檢測(cè)到的 PCM 數(shù)據(jù)采樣率以及 SBCLK 與 FSYNC 之比會(huì)分別在只讀寄存器位 FS_RATE_DETECTED[2:0] 和 FS_RATIO_DETECTED[3:0] 上報(bào)告。
| FS_RATE_DETECTED[2:0] （只讀） |
設(shè)置 |
|---|---|
| 000 | 保留 |
| 001 | 14.7kHz/16kHz |
| 010 | 22.05kHz/24kHz |
| 011 | 29.4kHz/32kHz |
| 100（默認(rèn)值） |
44.1kHz/48kHz |
| 101 | 88.2kHz/96kHz |
| 110 | 176.4kHz/192kHz |
| 111 | 錯(cuò)誤條件 |
RX_SLEN[1:0] 寄存器位將 RX 時(shí)隙的長(zhǎng)度設(shè)置為 16、24 或 32（默認(rèn)）位。時(shí)隙內(nèi)音頻樣本字的長(zhǎng)度由 RX_WLEN[1:0] 寄存器位配置。默認(rèn)情況下，RX 端口將使時(shí)隙內(nèi)的音頻樣本左對(duì)齊，但這可以通過(guò) RX_JUSTIFY 寄存器位更改為右對(duì)齊。器件支持單聲道和立體聲下混音播放 ([L+R]/2)。默認(rèn)情況下，器件將從等于 I2C 基地址偏移量（由 AD1 和 AD2 引腳設(shè)置）的時(shí)隙播放單聲道。RX_SCFG[1:0] 寄存器位可用于將播放源覆蓋到左時(shí)隙、右時(shí)隙或由 RX_SLOT_R[3:0] 和 RX_SLOT_L[3:0] 寄存器位設(shè)置的立體聲下混頻。
如果時(shí)隙選擇將接收部分或全部置于幀邊界之外，則接收器返回一個(gè)空樣本，相當(dāng)于一個(gè)數(shù)字靜音樣本。
TDM 端口可以在 SDOUT 引腳上傳輸多個(gè)樣本流，包括中斷和狀態(tài)、PVDD 電壓、VBAT 電壓和內(nèi)核溫度。
SBCLK 的上升沿或下降沿均可用于在 SDOUT 引腳上傳輸數(shù)據(jù)。這可以通過(guò)設(shè)置 TX_EDGE 寄存器位來(lái)配置。TX_OFFSET[2:0] 寄存器位定義從幀開(kāi)始到時(shí)隙 0 開(kāi)始的 SBCLK 周期數(shù)。這會(huì)編程為 0（對(duì)于左對(duì)齊格式）和 1（對(duì)于 I2S 格式）。TDM TX 可以發(fā)送邏輯 0 或高阻態(tài)，具體取決于 TX_FILL 寄存器位的設(shè)置。當(dāng)所有器件都驅(qū)動(dòng)高阻態(tài)時(shí)，可選的總線保持器可以弱保持 SDOUT 引腳的狀態(tài)。由于 SDOUT 上只需要一個(gè)總線保持器，因此可以通過(guò) TX_KEEPEN 寄存器位禁用此功能。使用 TX_KEEPLN 寄存器位可以將總線保持器配置為僅將總線保持 1 個(gè) LSB 或始終保持（永久）。此外，可以使用 TX_KEEPCY 寄存器位將保持器 LSB 驅(qū)動(dòng)一個(gè)完整周期或半個(gè)周期。
器件還支持輸入電源電壓的監(jiān)測(cè)和 TDM 傳輸。對(duì)于 PVDD 時(shí)隙，可以使用使能和長(zhǎng)度設(shè)置 PVDD_SLOT[5:0]、PVDD_TX 和 PVDD_SLEN 寄存器位。同樣，對(duì)于 VBAT 時(shí)隙，可以使用使能和長(zhǎng)度設(shè)置 VBAT_SLOT[5:0]、VBAT_TX 和 VBAT_SLEN 寄存器位。內(nèi)核溫度也能夠以相同的方式從器件傳輸。可以使用 TEMP_TX 和 TEMP_SLOT [5:0] 寄存器位來(lái)完成內(nèi)核溫度的使能和時(shí)隙設(shè)置。
STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位提供了有關(guān)時(shí)隙狀態(tài)的信息。將 STATUS_TX 寄存器位設(shè)置為高電平會(huì)啟用狀態(tài)發(fā)送。如果時(shí)隙選擇將傳輸置于幀邊界之外，則發(fā)送器將在幀邊界截?cái)鄠鬏敗?div id="btf1zhxxf73" class="subsection">表 6-30 發(fā)送的狀態(tài)位
| 狀態(tài)時(shí)隙位位置 | 狀態(tài)信號(hào) |
|---|---|
| 位 0 | PVDD UVLO 狀態(tài)位 |
| 位 1 | 過(guò)流保護(hù)狀態(tài)位 |
| 位 2 | 過(guò)熱保護(hù)狀態(tài)位 |
| 位 3 | 欠壓保護(hù)有效狀態(tài)位 |
| 位 4 | 限制器有效狀態(tài)位 |
| 位 5 | 噪聲門(mén)模式狀態(tài)位 |
| 位 6 | Y 橋狀態(tài)位。1 = PVDD 開(kāi)關(guān)，0 = VDD 開(kāi)關(guān) |
| 位 7 | 器件有效狀態(tài)位 |