ZHCSX59A August 2024 – August 2025 TAS2120
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RBG|26
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2 典型應(yīng)用
下圖顯示了內(nèi)部升壓和外部 PVDD 模式的典型應(yīng)用連接。SEL1_I2C 引腳用于選擇器件的 HW 模式或 I2C 模式。
如果需要，系統(tǒng)可以使用相同的 1.8V 電源為 IOVDD 和 VDD 供電。去耦電容器 C2 和 C3 應(yīng)靠近器件引腳放置。
VBAT、VDD、PVDD 電源軌對(duì)器件性能至關(guān)重要，應(yīng)在源 PMIC 和這些引腳之間使用寬引線，以盡量減小寄生電感。對(duì)于這些電源軌，電源紋波應(yīng)保持最小并應(yīng)連接到公共電源平面。
勘誤表：如果 IRQZ 信號(hào)被拉高，則預(yù)計(jì)會(huì)有額外的 2mA 到 3mA 電流消耗。在應(yīng)做事項(xiàng)和禁止事項(xiàng)一節(jié)中了解更多詳細(xì)信息。
圖 8-1 1S 電池系統(tǒng)的應(yīng)用示意圖
圖 8-2 2S 電池系統(tǒng)的應(yīng)用示意圖
圖 8-3 外部 PVDD 系統(tǒng)的應(yīng)用示意圖
圖 8-4 升壓共享拓?fù)鋺?yīng)用示意圖表 8-1 推薦的外部元件
| 元件 | 說明 | 規(guī)格 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| L1 | 升壓轉(zhuǎn)換器電感器 | 電感，容差為 20% | 0.47 | 1 | μH | |
| 飽和電流 | 5.3 | A | ||||
| L2，L3 | 可選的 EMI 濾波電感器（如果使用 L2、L3，則必須使用 C10、C11） | 直流電流 | 2 | A | ||
| C1, C2 | DREG、IOVDD 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 2 | 6.3 | V | |||
| C3 | VDD 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 2.2 | μF | ||
| 電壓額定值 | 2 | 6.3 | V | |||
| C4 | VBAT 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C5 | 1S 電池電源去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 10 | μF | ||
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C6 | PVDD 低 ESL 去耦 | 電容，容差為 20% | 0.1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 16 | 25 | V | |||
| C7、C8、C12 | PVDD 電源去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 10 | μF | ||
| 電壓額定值 | 16 | 25 | V | |||
| 1S 電池系統(tǒng)降額后的有效總 PVDD 電容 | 3 | μF | ||||
| C9 | GREG 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | 0.1 | μF | ||
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | V | |||
| C10，C11 | 可選的 EMI 濾波電容器（如果使用 C10、C11，則必須使用 L2、L3） | 電壓額定值 | 2xPVDD | V |