ZHCSXJ3A December 2024 – August 2025 LM51770 , LM517701
PRODUCTION DATA
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LM51770x 高側和低側柵極驅(qū)動器具有短傳播延遲、頻率相關的死區(qū)時間控制和低阻抗輸出級，能夠提供很大的峰值電流以及很短的上升和下降時間，從而有助于外部功率 MOSFET 以極快的速度進行導通和關斷轉(zhuǎn)換。如果布線長度未控制得當，極高的 di/dt 會導致無法接受的振鈴。盡可能地減少雜散或寄生柵極環(huán)路電感是優(yōu)化柵極驅(qū)動開關性能的關鍵，因為無論是與 MOSFET 柵極電容諧振的串聯(lián)柵極電感，還是共源電感（柵極和功率回路常見），都會提供與柵極驅(qū)動命令相反的負反饋補償，從而導致 MOSFET 開關時間延長。
從柵極驅(qū)動器輸出（HO1 和 HO2）到高側 MOSFET 相應柵極的連接需要盡可能短，從而減少串聯(lián)寄生電感。以差分對形式將 HO1 和 HO2 以及 SW1 和 SW2 柵極跡線從器件引腳布線到高側 MOSFET，從而通過減少環(huán)路面積來利用磁通抵消。
從柵極驅(qū)動器輸出（LO1 和 LO2）到低側 MOSFET 相應柵極的連接需要盡可能短，從而減少串聯(lián)寄生電感。以差分對形式將 LO1 和 LO2 以及 PGND 柵極跡線從器件引腳布線到低側 MOSFET，從而通過減少環(huán)路面積來利用磁通抵消。
盡可能縮短從 VCC、HB1 和 HB2 引腳通過其各自電容器的電流環(huán)路路徑，因為這些電容器會提供高瞬時電流。