ZHCSXJ3A December 2024 – August 2025 LM51770 , LM517701
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
輸入側(cè) MOSFET QH1 (Q1) 和 QL1 (Q2) 需承受 36V 的最大輸入電壓,并且還需要承受開關(guān)期間 SW1 上出現(xiàn)的瞬態(tài)尖峰。因此,QH1 和 QL1 的額定電壓需要為 50V 或更高。MOSFET 的柵極平坦電壓需要小于轉(zhuǎn)換器的最小輸入電壓,否則,MOSFET 在啟動或過載情況下可能無法完全增強。
升壓模式下 QH1 中的功率損耗根據(jù)以下公式進行近似計算:
降壓模式下 QH1 中的功率損耗分別由方程式 33 和方程式 34 給出的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗分量組成:
上升 (tr) 和下降 (tf) 時間基于 MOSFET 數(shù)據(jù)表信息或在實驗室中進行測量。通常,RDSON 較?。▽?dǎo)通損耗較小)的 MOSFET 具有較長的上升和下降時間(開關(guān)損耗較大)。
降壓運行模式下 QL1 中的功率損耗如方程式 35 所示: