9 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2020)to RevisionC (November 2024)
- 更新了整個(gè)文檔中的表格、圖和交叉參考的編號(hào)格式Go
- 通篇將 PMOS 和 NMOS 更改為 MOSGo
- 更改了 WQFN-16 封裝的參數(shù)“UVLO VIN 上升”：將典型值從 2.628V 更改為 2.75VGo
- 更改了 WQFN-16 封裝的參數(shù)“UVLO VIN 下降”：將典型值從 2.3V 更改為 2.5VGo
- 更改了 WQFN-16 封裝的參數(shù)“UVLO 遲滯”：將典型值從 330mV 更改為 260mVGo
- 在參數(shù) FFB 的“測(cè)試條件”中添加了“HTSSOP-20 封裝”Go
- 更改了 WQFN-16 封裝的參數(shù)“ICL_BOT”：將典型值從 0.75A 改為 1.0AGo
- 更改了參數(shù)“IQVINC 兩個(gè)輸出均開(kāi)啟時(shí)的 VINC 靜態(tài)電流（非開(kāi)關(guān)）”：將“測(cè)試條件 VFB”從 0.9V 更改為 0.95VGo
- 更改了參數(shù)“IQVIND VIND 靜態(tài)電流（非開(kāi)關(guān)）”：將“測(cè)試條件 VFB”從 0.9V 更改為 0.95VGo
- 更新了 HTSSOP-20 封裝的功能方框圖中的電源正常閾值，以匹配電氣特性Go
- 添加了 WQFN-16 封裝的功能方框圖Go
- 添加了 WQFN-16 封裝的典型欠壓鎖定閾值Go
- 在說(shuō)明如何使用 PG1 來(lái)控制 VOUT2 的注釋中將 ±10% 更改為 ±15%Go
- 在說(shuō)明電源正常閾值的句子中將 ±14% 更改為 ±15%Go
- 更新了圖 7-6
Go
- 將節(jié)標(biāo)題更新為 HTSSOP-20 封裝的電流限制和短路保護(hù)
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- 添加了新的一節(jié)，即WQFN-16 封裝的電流限制和短路保護(hù)
Go
- 根據(jù)表 7-2 在圖 7-7 中添加了 C6Go
- 將圖 7-7 中的 VOUT2 從 1.8V 更改為 0.8VGo
- 將圖 7-7 中的 VOUT1 從 3.3V 更改為 1.8VGo
- 將圖 7-7 中的 VIN 最小值從 4.5V 更改為 3VGo
- 將介紹內(nèi)部功率損耗計(jì)算的句子和表 7-3 中的 550kHz 更改為 2.2MHzGo
- 為 HTSSOP-20 封裝和 WQFN-16 封裝添加了單獨(dú)的電源相關(guān)建議 小節(jié)Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (July 2019)to RevisionB (June 2020)
- 在
節(jié) 1
中添加了功能安全要點(diǎn)Go