ZHCSVZ1B April 2024 – January 2025 ISO7741TA-Q1 , ISO7741TB-Q1 , ISO7742TA-Q1 , ISO7742TB-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
與所有高速 CMOS IC 一樣，該器件需要一個 10nF 至 100nF 的旁路電容器。
初級中心抽頭處的輸入大容量電容器能夠在快速轉(zhuǎn)換瞬態(tài)期間為初級提供大電流。為最大限度減小紋波，電容應(yīng)為 1μF 至到10μF。在具有專用接地層的雙層 PCB 設(shè)計中，將該電容器放置在靠近初級中心抽頭的位置，以便最大限度減小布線電感。在具有低電感接地參考平面與 VCC 的四層 PCB 設(shè)計中，可以將電容器放置在電路板電源入口處。為提供低電感路徑，請為連接參考平面或初級中心抽頭的每個連接使用兩個并聯(lián)過孔。
整流器輸出端的大容量電容器可使輸出電壓變得平滑。將該電容器的電容設(shè)置為 1μF 至 10μF。
對于穩(wěn)壓器輸入端，不一定需要小電容。不過，良好的模擬設(shè)計實踐表明，使用 47nF 至 100nF 的較小值，能夠改善穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)與噪聲抑制能力。
LDO 輸出電容器能夠為后續(xù)隔離器與收發(fā)器電路提供穩(wěn)壓輸出緩沖。輸出電容器的選擇取決于數(shù)據(jù)表中規(guī)定的 LDO 穩(wěn)定性要求。不過，多數(shù)情況下，4.7μF 至 10μF 范圍內(nèi)的低 ESR 陶瓷電容器能夠滿足該等要求。