ZHCSVZ1B April 2024 – January 2025 ISO7741TA-Q1 , ISO7741TB-Q1 , ISO7742TA-Q1 , ISO7742TB-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
絕緣壽命預(yù)測數(shù)據(jù)是使用業(yè)界通用的時(shí)間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測試方法收集的。在該測試中,隔離柵兩側(cè)的所有引腳都連在一起,構(gòu)成了一個(gè)雙端子器件并在兩側(cè)之間施加高電壓;對于 TDDB 測試設(shè)置,請參閱圖 8-10。絕緣擊穿數(shù)據(jù)是在開關(guān)頻率為 60Hz 以及各種高電壓條件下在整個(gè)溫度范圍內(nèi)收集的。對于增強(qiáng)型絕緣,VDE 標(biāo)準(zhǔn)要求使用故障率小于 1ppm 的 TDDB 預(yù)測線。盡管額定工作隔離電壓條件下的預(yù)期最短絕緣壽命為 20 年,但是 VDE 增強(qiáng)認(rèn)證要求工作電壓具有額外 20% 的安全裕度,壽命具有額外 50% 的安全裕度,也就是說在工作電壓高于額定值 20% 的條件下,所需的最短絕緣壽命為 30 年。
圖 8-11 展示了隔離柵在其整個(gè)壽命期間承受高壓應(yīng)力的固有能力。根據(jù) TDDB 數(shù)據(jù),固有絕緣能力為 1500VRMS,壽命為 36 年。其他因素,比如封裝尺寸、污染等級、材料組等,可能會(huì)進(jìn)一步限制元件的工作電壓。DW-16 封裝的工作電壓上限值可達(dá) 1500VRMS。較低工作電壓所對應(yīng)的絕緣壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 36 年。
圖 8-10 絕緣壽命測量的測試設(shè)置