ZHCSVZ1B April 2024 – January 2025 ISO7741TA-Q1 , ISO7741TB-Q1 , ISO7742TA-Q1 , ISO7742TB-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
-
5 規(guī)格
- 5.1 絕對最大額定值
- 5.2 ESD 等級
- 5.3 建議運行條件
- 5.4 熱性能信息
- 5.5 功率等級
- 5.6 絕緣規(guī)格
- 5.7 安全相關(guān)認證
- 5.8 安全限值
- 5.9 變壓器電氣特性
- 5.10 電氣特性 - 5V 電源
- 5.11 電源電流特性 - 5V 電源
- 5.12 電氣特性 - 3.3V 電源
- 5.13 電源電流特性 - 3.3V 電源
- 5.14 電氣特性 - 2.5V 電源?
- 5.15 電源電流特性 - 2.5V 電源
- 5.16 開關(guān)特性 - 5V 電源
- 5.17 開關(guān)特性 - 3.3V 電源
- 5.18 開關(guān)特性 - 2.5V 電源
- 5.19 絕緣特性曲線
- 5.20 典型特性
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
ISO774xT-Q1 是一款集成了變壓器驅(qū)動器，隔離等級為 5000VRMS，并且符合 UL 1577 標準的 1 級高性能四通道數(shù)字隔離器。符合 VDE、CSA、TUV 以及 CQC 標準的增強型絕緣等級。
在隔離互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或低電壓互補金屬氧化物半導(dǎo)體（LVCMOS）數(shù)字 I/O 的同時，ISO774xT-Q1 器件還能夠在提供高電磁抗擾度與低輻射的同時，具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。如果輸入電源或信號丟失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參閱器件功能模式 部分。
ISO774xT-Q1 包含低噪聲、低 EMI 的推挽式變壓器驅(qū)動器，專為小型隔離式電源而設(shè)計。變壓器驅(qū)動器通過一個 2.25V 至 5.5V 的直流電源，驅(qū)動薄型中間抽頭變壓器。通過輸出開關(guān)電壓的壓擺率控制和展頻時鐘 (SSC) 實現(xiàn)了極低噪聲和 EMI。ISO774xT-Q1 由一個振蕩器與一個柵極驅(qū)動器電路組成，該柵極驅(qū)動器電路能夠提供驅(qū)動接地參考 N 溝道電源開關(guān)的互補輸出信號。該器件包含兩個 0.7A 的功率 MOSFET 開關(guān)，以便確保在重負載條件下正常啟動。內(nèi)部保護特性包括 1.75A 限流、欠壓鎖定、熱關(guān)斷和先斷后合電路。ISO774xT-Q1 具有軟啟動特性，能夠防止大負載電容器在上電期間出現(xiàn)高浪涌電流。ISO774xTAQ1 具有適用于需要最大限度降低輻射的應(yīng)用的 160kHz 內(nèi)部振蕩器；ISO774xTBQ1 具有適用于需要更高效率與更小變壓器尺寸的應(yīng)用的 420kHz 內(nèi)部振蕩器。
ISO774xT-Q1 采用 16 引腳 DW 封裝。該器件的運行溫度范圍為 –40°C 至 125°C。
| 器件型號 | 封裝(1) | 封裝尺寸（標稱值） | 封裝尺寸(2) |
|---|---|---|---|
| ISO7741Tx-Q1 | DW（SOIC，16） | 10.30mm × 7.50mm | 10.30mm × 10.30mm |
| ISO7741FTx-Q1 | DW（SOIC，16） | 10.30mm × 7.50mm | 10.30mm × 10.30mm |
| ISO7742Tx-Q1 | DW（SOIC，16） | 10.30mm × 7.50mm | 10.30mm × 10.30mm |
| ISO7742FTx-Q1 | DW（SOIC，16） | 10.30mm × 7.50mm | 10.30mm × 10.30mm |
簡化版原理圖