ZHCSTG5A October 2023 – February 2025 ADC12QJ1600-SEP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3 特性說明
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- ALR|144
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.4.1 低功耗模式和高性能模式
通過將器件編程為低功耗模式，可以在以犧牲性能為代價來降低器件功耗。該模式僅在 1GSPS 或更低速率下運行時可用，建議僅用于第一奈奎斯特區(qū)域。默認(rèn)工作模式為高性能模式，該模式通過默認(rèn)寄存器值啟用。表 6-12 顯示了在低功耗模式和高性能模式的最低功耗配置之間切換的寄存器寫入值。僅當(dāng) CAL_EN 設(shè)置為 0 且 JESD_EN 設(shè)置為 0 時才應(yīng)執(zhí)行這些寫入。
| 寄存器名稱（地址） | 低功率模式值 | 高性能模式值（默認(rèn)模式） |
|---|---|---|
| LOW_POWER1 (0x037) | 0x46 | 0x4B |
| LOW_POWER2 (0x29A) | 0x06 | 0x0F |
| LOW_POWER3 (0x29B) | 0x00 | 0x04 |
| LOW_POWER4 (0x29C) | 0x14 | 0x1B |
在后臺校準(zhǔn)和低功耗后臺校準(zhǔn)期間，ADC 內(nèi)核之間轉(zhuǎn)換時的干擾幅度受 LOW_POWER3 寄存器設(shè)置（地址= 0x29B）的影響。相比較大的干擾幅度，較低的功率可能會受到影響。低功耗模式下 ADC 內(nèi)核之間轉(zhuǎn)換時的 ADC 輸出如 圖 6-10 所示，功率耗散變化與 LOW_POWER3 設(shè)置間的關(guān)系如 圖 6-11所示。設(shè)置 4 可將干擾降低到與高性能模式相同的幅度。
圖 6-10 低功率模式下的后臺校準(zhǔn)內(nèi)核轉(zhuǎn)換
圖 6-11 功率耗散變化與 LOW_POWER3 寄存器設(shè)置間的關(guān)系在低功耗后臺校準(zhǔn)模式下，可通過設(shè)置寄存器 LP_TRIG = 1 來控制 ADC 轉(zhuǎn)換的時序。在 CALTRIG 焊球觸發(fā)或 SPI 寫入 CAL_SOFT_TRIG 寄存器（地址= 0x6C）后，將在 500 和 1000 個 ADC 采樣時鐘之間的 ADC 輸出數(shù)據(jù)中發(fā)生 ADC 轉(zhuǎn)換。
前臺校準(zhǔn)模式?jīng)]有 ADC 內(nèi)核轉(zhuǎn)換且沒有干擾。