ZHCT355 October 2021 TPS548B27 , TPS548B28
表 5-1 比較了兩種封裝的效率和功率耗散情況。我們對每個器件的 VCC 施加了 3.3V 偏置電壓，以便消除內(nèi)部線性穩(wěn)壓器所產(chǎn)生的任何損耗，該穩(wěn)壓器負責為 IC 供電。線性穩(wěn)壓器損耗可能因批次間的工藝變化而異；您可以施加外部 3.3V 偏置電壓并獲得最接近的效率比較結(jié)果，從而消除這些損耗。每種封裝的效率和功率耗散結(jié)果非常類似，但 HotRod 封裝設(shè)計的功率耗散低 50mW，或效率高 0.2%，這僅適用于 15A 電流情形，可以忽略不計。增強型 HotRod QFN 封裝未帶來任何改進，相比 HotRod 封裝僅出現(xiàn)輕微的效率下降。
| 封裝 | IOUT (A) | 效率 | 耗散 (W) |
|---|---|---|---|
| 增強型 HotRod QFN 封裝 | 5.0 | 90.1% | 0.55 |
| 10.0 | 89.6% | 1.16 | |
| 15.0 | 87.2% | 2.21 | |
| 20.0 | 84.6% | 3.65 | |
| HotRod 封裝 | 5.0 | 90.1% | 0.55 |
| 10.0 | 89.6% | 1.16 | |
| 15.0 | 87.4% | 2.16 | |
| 20.0 | 84.6% | 3.65 |