ZHCT355 October 2021 TPS548B27 , TPS548B28
在既定的工作條件下，與 HotRod 封裝相比，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的性能未出現(xiàn)明顯下降。經(jīng)過非常仔細(xì)的檢查后發(fā)現(xiàn)，功率耗散會顯示出 50mW 的差異，但僅在 15A 負(fù)載電流下如此。另一方面，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝可將開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴減少 0.1V 并將負(fù)載瞬態(tài)輸出電壓過沖和下沖減少 1mV，相對來說可忽略不計。表 8-1 匯總了結(jié)果。
| 封裝 | 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝 | HotRod QFN |
|---|---|---|
| 15A 下的溫度 | 70.3°C | 70.3°C |
| 效率差異 | 87.2% (15 A) | 87.4% (15 A) |
| VOUT 過沖和下沖 | 133.9 mV | 134.8 mV |
| 振鈴 | 0.7 V | 0.8V |
鑒于變量過多，比較結(jié)果通常并無定論，因此新的封裝技術(shù)往往會遭到質(zhì)疑。不過，在此示例中，電路差異很小，測量結(jié)果也很相似。采用增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝實(shí)現(xiàn)新型直流/直流轉(zhuǎn)換器后，采用此封裝進(jìn)行設(shè)計便可作為一種低風(fēng)險的替代方案，幫助供應(yīng)商解決封裝內(nèi)部產(chǎn)生的寄生效應(yīng)問題。
增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝提供了一種新穎的方法來改善集成電路的空間占用，可以實(shí)現(xiàn)更好的振鈴性能，與其他現(xiàn)有封裝技術(shù)相比，其布局布線可能更加友好、更加靈活。