7 開關節(jié)點振鈴比較

在觀察電源高側 MOSFET 的開關節(jié)點振鈴時，可以看見寄生電感效應。仔細檢查圖 7-1 和圖 7-2 后發(fā)現(xiàn)，增強型 HotRod QFN 封裝設計的電壓過沖比表 7-1 中顯示的 HotRod 封裝設計低 0.1V，這是顯而易見的。很難確定電壓振鈴差異的來源，但可以放心地假設增強型 HotRod QFN 封裝不會降低開關節(jié)點振鈴性能。不過，有可能是增強型 HotRod QFN 封裝的機械結構減小了 IC 的內部寄生電感，從而使得高側 MOSFET 的開關節(jié)點振鈴略有改進。