6 負(fù)載瞬態(tài)比較

在 20A 滿負(fù)載條件下，或者從 0A 到 12A，然后從 12A 到 0A，以 0% 至 60% 負(fù)載階躍執(zhí)行了負(fù)載瞬態(tài)測試。上升負(fù)載階躍具有 8A/μs 壓擺率。在比較圖 6-1 和圖 6-2 中的瞬態(tài)響應(yīng)波形時，增強型 HotRod QFN 封裝設(shè)計與 HotRod 封裝設(shè)計非常相似，由于負(fù)載瞬態(tài)，僅在總輸出電壓過沖和下沖之間存在 1mV 的差異。與 HotRod 封裝相比，增強型 HotRod QFN 設(shè)計在負(fù)載瞬態(tài)性能方面的改進(jìn)非常小，幾乎難以察覺。表 6-1 顯示了結(jié)果。