ZHCSUD0C November 2024 – June 2025 TPSM82866C
PRODMIX
開(kāi)關(guān)電流限值可防止器件出現(xiàn)高電感器電流和從電池或輸入電壓軌汲取過(guò)大的電流。在重負(fù)載或輸出電路短路的情況下可能會(huì)出現(xiàn)過(guò)大的電流。如果電感器電流逐周期達(dá)到 ILIM，則高側(cè) MOSFET 會(huì)關(guān)斷，低側(cè) MOSFET 會(huì)導(dǎo)通，直至電感器電流斜降至低側(cè) MOSFET 電流限值。
當(dāng)高側(cè) MOSFET 電流限制觸發(fā) 32 次時(shí)，該器件將停止開(kāi)關(guān)。在經(jīng)過(guò) 128μs 的典型延遲時(shí)間后，器件會(huì)通過(guò)軟啟動(dòng)來(lái)自動(dòng)重新啟動(dòng)。器件會(huì)重復(fù)此模式，直到高負(fù)載條件消失。這種斷續(xù)短路保護(hù)功能可降低過(guò)載條件下輸入電源的電流消耗。圖 9-25 展示了斷續(xù)短路保護(hù)。
可以通過(guò) CONTROL 寄存器的“啟用 HICCUP”位來(lái)禁用斷續(xù)短路保護(hù)。禁用斷續(xù)會(huì)將過(guò)流保護(hù)更改為鎖存保護(hù)。在高側(cè) MOSFET 電流限值觸發(fā) 32 次后，器件停止開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān) EN 引腳，去除并重新施加輸入電壓，或?qū)懭?CONTROL 寄存器的“軟件啟用器件”位可取消器件的鎖存。
低側(cè) MOSFET 還包含負(fù)電流限值，以防止過(guò)大的電流通過(guò)電感器流回輸入端。如果超過(guò)低側(cè)灌電流限制，低側(cè) MOSFET 將關(guān)閉。在這種情況下，兩個(gè) MOSFET 都會(huì)關(guān)閉，直到下一個(gè)周期開(kāi)始為止。負(fù)電流限制僅在強(qiáng)制 PWM 模式下有效。