ZHCSNP4B December 2022 – June 2024 TPS65219-Q1
PRODUCTION DATA
| POS | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電氣特性 | |||||||
| 7.1.1 | VIN_LDO | 輸入電壓（LDO 模式）(1) | LDO 模式，最大為 VSYS | 1.5 | 5.5 | V | |
| 7.1.2 | VIN_LDO_BYP | 輸入電壓（旁路模式）(1) (5) | 旁路模式，最大為 VSYS | 1.5 | 3.4 | V | |
| 7.1.3 | VIN_LDO_LSW | 輸入電壓（LSW 模式）(1) | LSW 模式，最大為 VSYS | 1.5 | 5.5 | V | |
| 7.1.4 | VOUT_LDO | LDO 輸出電壓可配置范圍 | LDO 模式，階躍為 50mV，VIN - VOUT > 300mV | 0.6 | 3.4 | V | |
| 7.1.5 | VOUT_LDO_BYP | 旁路模式下的 LDO 輸出電壓可配置范圍 | 旁路模式，可配置 VOUT 范圍（階躍為 50mV） | 1.5 | 3.4 | V | |
| 7.1.6 | VOUT_STEP | 輸出電壓階躍 | LDO 模式，0.6V ≤ VOUT ≤ 3.4V | 50 | mV | ||
| 7.1.7 | VDROPOUT | 壓降電壓 | VINmin ≤ VIN ≤ VINmax，IOUT = 400mA | 150 | 300 | mV | |
| 7.1.8 | VOUT_ACCURACY_H | 總直流輸出電壓精度，包括電壓基準(zhǔn)、直流負(fù)載和線性調(diào)整率、工藝和溫度變化 | LDO 模式，VIN - VOUT > 300mV，VOUT ≥ 1V | -1.1% | 1.1% | ||
| 7.1.9 | VOUT_ACCURACY_L | 總直流輸出電壓精度，包括電壓基準(zhǔn)、直流負(fù)載和線性調(diào)整率、工藝和溫度變化 | LDO 模式，VIN - VOUT > 300mV，VOUT < 1V | -11 | 11 | mV | |
| 7.1.10 | RBYPASS_H | 旁路電阻，高輸出電壓 | 2.5V ≤ VIN ≤ 3.6V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，旁路模式 | 200 | mΩ | ||
| 7.1.11 | RBYPASS_L | 旁路電阻，低輸出電壓 | 1.5V ≤ VIN ≤ 2.5V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，旁路模式 | 250 | mΩ | ||
| 7.1.12 | RLSW_H | LSW 電阻，高輸出電壓 | 2.5V ≤ VIN ≤ 5.5V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，LSW 模式 | 200 | mΩ | ||
| 7.1.13 | RLSW_L | LSW 電阻，低輸出電壓 | 1.5V ≤ VIN ≤ 2.5V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，LSW 模式 | 250 | mΩ | ||
| 7.2.1 | VLOAD_TRANSIENT | 瞬態(tài)負(fù)載調(diào)整率，ΔVOUT | IOUT = IOUT_MAX 的 20% 至 80% 至 20%，tr = tf = 1μs | -35 | 35 | mV | |
| 7.2.2 | VLINE_TRANSIENT | 瞬態(tài)線性調(diào)整率 | VIN 階躍 = 600mVPP，tR = tF = 10μs，LDO 不在壓降條件，LDO 模式 | -25 | 25 | mV | |
| 7.2.3 | NOISERMS | RMS 噪聲 | 100Hz < f ≤ 100kHz，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA | 600 | μVRMS | ||
| 7.2.4 | VRIPPLE | 電壓紋波 | 5 | mVPP | |||
| 7.3.1 | IOUT_MAX | 輸出電流 | VPVIN_LDOxmin ≤ VIN ≤ VPVIN_LDOxmax， 應(yīng)用于 LDO 模式、旁路模式和 LSW 模式 |
400 | mA | ||
| 7.3.2 | ICURRENT_LIMIT | 短路電流限制 | VIN = 3.6V，VOUT = 0V | 600 | 980 | 1600 | mA |
| 7.3.3 | IIN_RUSH_LDO | LDO 浪涌電流 | LDO 模式，最大 20μF 負(fù)載連接至 VLDOx，IOUT = 0mA 或 400mA | 1500 | mA | ||
| 7.3.4 | IIN_RUSH_LDO_BYP | 旁路模式下的 LDO 浪涌電流 | 旁路模式，最大 50μF 負(fù)載連接至 VLDOx | 1500 | mA | ||
| 7.3.5 | IIN_RUSH_LDO_LSW | LSW 模式下的 LDO 浪涌電流 | LSW 模式，最大 50μF 負(fù)載連接到 VLDOx | 1500 | mA | ||
| 7.3.6 | RDISCHARGE | LDO 輸出處的下拉放電電阻 | 僅在禁用轉(zhuǎn)換器時(shí)有效。適用于 LDO、旁路和 LSW 模式 | 100 | 200 | 300 | Ω |
| 7.3.7a | IQ_ACTIVE_LDO | 25°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， LDO 模式 |
LDO 模式，IOUT = 0mA， TJ = 25°C |
50 | 62 | μA | |
| 7.3.7b | IQ_ACTIVE_LDO | -40°C 至 125°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， LDO 模式 |
LDO 模式，IOUT = 0mA， TJ = -40°C 至 125°C |
50 | 65 | μA | |
| 7.3.7b | IQ_ACTIVE_LDO | -40°C 至 150°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， LDO 模式 |
LDO 模式，IOUT = 0mA， TJ = -40°C 至 150°C |
50 | 66 | μA | |
| 7.3.8a | IQ_ACTIVE_LDO_BYP | 25°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， 旁路模式 |
旁路模式，IOUT = 0mA， TJ = 25°C |
43 | 48 | μA | |
| 7.3.8b | IQ_ACTIVE_LDO_BYP | -40°C 至 125°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， 旁路模式 |
旁路模式，IOUT = 0mA， TJ = -40°C 至 125°C |
43 | 50 | μA | |
| 7.3.8b | IQ_ACTIVE_LDO_BYP | -40°C 至 150°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， 旁路模式 |
旁路模式，IOUT = 0mA， TJ = -40°C 至 150°C |
43 | 50 | μA | |
| 7.3.9a | IQ_ACTIVE_LDO_LSW | 25°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， LSW 模式 |
LSW 模式，IOUT = 0mA， TJ = 25°C |
46 | 53 | μA | |
| 7.3.9b | IQ_ACTIVE_LDO_LSW | -40°C 至 125°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， LSW 模式 |
LSW 模式，IOUT = 0mA， TJ = -40°C 至 125°C |
46 | 53 | μA | |
| 7.3.9b | IQ_ACTIVE_LDO_LSW | -40°C 至 150°C 時(shí) ACTIVE 狀態(tài)下的靜態(tài)電流， LSW 模式 |
LSW 模式，IOUT = 0mA， TJ = -40°C 至 150°C |
46 | 54 | μA | |
| 7.4.1 | CIN | 輸入濾波電容(2) | 從 PVIN_LDOx 連接到 GND 適用于 LDO、旁路和 LSW 模式 |
1.6 | 2.2 | μF | |
| 7.4.2 | COUT | 輸出濾波電容(3) | 從 VLDOx 連接到 GND，LDO 模式 | 1.6 | 2.2 | 4 | μF |
| 7.4.3 | COUT_TOTAL | 輸出端的總電容（本地 + POL），LDO 模式(4) | 1MHz < f < 10MHz | 20 | μF | ||
| 7.4.4 | COUT_TOTAL_BYP | 輸出端的總電容（本地 + POL），旁路模式(4) | 1MHz < f < 10MHz | 50 | μF | ||
| 7.4.5 | COUT_TOTAL_LSW | 輸出端的總電容（本地 + POL），LSW 模式(4) | 1MHz < f < 10MHz | 50 | μF | ||
| 7.4.6 | CESR | 濾波電容 ESR 最大值 | 1MHz < f < 10MHz | 10 | 20 | mΩ | |
| 時(shí)序要求 | |||||||
| 7.5.1 | tRAMP | LDO 和旁路模式下的斜坡時(shí)間 LDO | 從使能到目標(biāo)值的 98% 測(cè)得，LDO 模式或旁路模式，在單獨(dú)啟用時(shí)進(jìn)行測(cè)量，假設(shè)沒(méi)有殘余電壓 | 950 | μs | ||
| 7.5.2 | tRAMP_SLEW | LDO 和旁路模式下的斜升壓擺率 | VOUT 范圍為 0.3V 至 VOUT 的 90% | 12 | mV/μs | ||
| 7.5.3 | tRAMP_LSW | 斜坡時(shí)間 LSW 模式 | 從使能到目標(biāo)值測(cè)得，LSW 模式，假設(shè)沒(méi)有殘余電壓 | 1250 | μs | ||
| 7.5.4 | tRAMP_SLEW | LSW 模式下的斜升壓擺率 | VOUT 范圍為 0.3V 至 VOUT 的 90% | 12 | mV/μs | ||
| 7.5.5 | tTRANS_1P8_3P3 | 轉(zhuǎn)換時(shí)間 1.8V - 3.3V | VIN = 4.0V，IOUT = 300mA | 2 | ms | ||
| 7.5.6 | tTRANS_3P3_1P8 | 轉(zhuǎn)換時(shí)間 3.3V - 1.8V | VIN = 4.0V，IOUT = 300mA | 2 | ms | ||