ZHCSNP4B December 2022 – June 2024 TPS65219-Q1
PRODUCTION DATA
輸入電容 - Buck1、Buck2、Buck3
每個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器要求在相應(yīng)的 PVIN_Bx 引腳上有一個(gè)輸入電容器。選擇電容值時(shí)必須考慮電壓和溫度降額。由于開關(guān)轉(zhuǎn)換器的性質(zhì)，需要使用低 ESR 陶瓷電容器來實(shí)現(xiàn)出色的輸入電壓濾波。推薦的典型電容為 4.7μF、10V 電容器。如果 PCB 尺寸允許更大的占用空間，則可以使用更高的輸入電容。
輸出電容 - Buck1、Buck2、Buck3
每個(gè)降壓輸出都需要一個(gè)本地輸出電容器來構(gòu)成 LC 輸出濾波器的電容部分。建議使用具有 X7 溫度系數(shù)的陶瓷電容器。非汽車應(yīng)用可以根據(jù)工作溫度使用 X6 或更低系數(shù)。降壓轉(zhuǎn)換器具有多種開關(guān)模式和帶寬配置，這些模式和配置會(huì)影響輸出電容器的選擇。開關(guān)模式配置 (BUCK_FF_ENABLE) 是一個(gè)適用于三個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器的全局寄存器字段，在任何時(shí)候都不得更改。帶寬選擇是每個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器的一個(gè)獨(dú)立寄存器字段。請(qǐng)參閱技術(shù)參考手冊(cè) (TRM) 以了解具體的可訂購器件型號(hào)，確定 NVM 配置和相應(yīng)的輸出電容要求。表 7-1 展示了每種開關(guān)模式和帶寬配置所需的最小和最大電容（降額后）。必須考慮陶瓷電容器的直流偏置電壓特性、容差、老化和溫度影響。ESR 必須為 10mΩ 或更低。
| 開關(guān)模式選擇 | 帶寬選擇 | 規(guī)格參數(shù) | 電容 | |
|---|---|---|---|---|
| 寄存器字段： BUCK_FF_ENABLE |
寄存器字段： BUCK1_BW_SEL、BUCK2_BW_SEL、BUCK3_BW_SEL |
最小值 | 最大值 （包括本地 + 負(fù)載點(diǎn)） |
|
| 準(zhǔn)固定頻率 （自動(dòng) PFM 或強(qiáng)制 PWM） |
低帶寬 | COUT | 10μF | 75μF |
| 高帶寬 | COUT_HIGH_BW | 30μF | 220μF | |
| 固定頻率 （在 TPS65220、TPS65220-EP、TPS65219-Q1 和 TPS65215-Q1 上受支持） |
低帶寬 | COUT_FF | 12μF | 36μF |
| 高帶寬 | COUT_HIGH_BW_FF | 48μF | 144μF | |
電感器選型 - Buck1、Buck2、Buck3
降壓轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部參數(shù)針對(duì) 0.47uH 電感器進(jìn)行了優(yōu)化。DCR 必須為 50mΩ 或更低。確保所選電感器的額定值可支持至少 7.4A（對(duì)于 Buck1）和 5.4A（對(duì)于 Buck2/Buck3）的飽和電流。